substratos libres de 2inch Si-GaN GaN
PAM-XIAMEN ha establecido la tecnología de fabricación para (nitruro del galio) la oblea libre del substrato de GaN que está para UHB-LED y el LD. Crecido por la tecnología de (HVPE) de la epitaxia de la fase de vapor del hidruro, nuestro substrato de GaN tiene densidad baja del defecto y menos o densidad macra libre del defecto.
PAM-XIAMEN ofrece la gama completa de GaN y los materiales relacionados de III-N incluyendo los substratos de GaN de diversas orientaciones y conductividad eléctrica, las plantillas del crystallineGaN&AlN, y los epiwafers de encargo de III-N.
substratos libres de 2inch Si-GaN GaN
| Artículo | PAM-FS-GaN -50-SI |
| Dimensión | 50,8 ±1 milímetro |
| Grueso | 350 ±25 μm los 430±25μm |
| Orientación | C acepilla (0001) de ángulo hacia M-AXIS 0,35 ±0.15° |
| Orientación plana | (1-100) 0 ±0.5°, 16 ±1 milímetro |
| Orientación secundaria plana | (11-20) 0 ±3°, 8 ±1 milímetro |
| Tipo de la conducción | Semiaislante |
| Resistencia (300K) | >106 Ω·cm |
| TTV | μm del ≤ 15 |
| ARCO | -20 μm del ≤ 20 del ARCO del ≤ del μm |
| Aspereza superficial: | Parte delantera: Ra<0.2nm, epi-listo; Lado trasero: Tierra fina o pulido. |
| Densidad de dislocación | A partir de la 1 de x 105 a 5 de x 10 6cm -2(calculadoporelCL)* |
| Densidad macra del defecto | < 2 cm-2 |
| Área usable | > el 90% (exclusión de los defectos del borde y de la macro) |
| Paquete | cada uno en solo envase de la oblea, bajo atmósfera del nitrógeno, llena en sitio limpio de la clase 100 |
Uso del substrato de GaN
Iluminación de estado sólido: Los dispositivos de GaN se utilizan como diodos electroluminosos del brillo ultra alto (LED), TV, automóviles, e iluminación general
Almacenamiento del DVD: Diodos láser azules
Dispositivo de poder: Los dispositivos de GaN se utilizan como diversos componentes en electrónica de poder de alta potencia y de alta frecuencia como estaciones base, satélites, amplificadores de potencia, e inversores/convertidores celulares para los vehículos eléctricos (EV) y los vehículos eléctricos híbridos (HEV). La sensibilidad baja de GaN a la radiación ionizante (como otros nitruros del grupo III) le hace un material conveniente para los usos spaceborne tales como órdenes de célula solar para los satélites y los dispositivos de alta potencia, de alta frecuencia para la comunicación, el tiempo, y los satélites de la vigilancia
Estaciones base inalámbricas: Transistores de poder del RF
Acceso de banda ancha inalámbrico: MMICs de alta frecuencia, RF-circuitos MMICs
Sensores de la presión: MEMS
Sensores del calor: detectores Piro-eléctricos
Condicionamiento de poder: Integración de las señales encontradas GaN/Si
Electrónica de automóvil: Electrónica da alta temperatura
Líneas de transmisión de poder: Electrónica de alto voltaje
Sensores del marco: Detectores ULTRAVIOLETA
Células solares: El hueco de la banda amplio de GaN cubre el espectro solar a partir de 0,65 eV al eV 3,4 (que es prácticamente el espectro solar entero), haciendo el nitruro del galio del indio
(InGaN) alea perfecto para crear el material de la célula solar. Debido a esta ventaja, las células solares de InGaN crecidas en los substratos de GaN se contrapesan para convertirse en una de las nuevas aplicaciones y del mercado más importantes del crecimiento para las obleas del substrato de GaN.
Ideal para los HEMTs, FETs
Proyecto del diodo de GaN Schottky: Aceptamos espec. de la aduana de los diodos de Schottky fabricados en las capas del nitruro del galio (GaN) de n y los p-tipos HVPE-crecidos, libres.
Ambos contactos (óhmicos y Schottky) fueron depositados en la superficie superior usando Al/Ti y Pd/Ti/Au.
Estructura cristalina de la blenda de cinc
| | | Observaciones | Referens |
| Huecos de energía, e.g. | eV 3,28 | 0 K | Bougrov y otros (2001) |
| Huecos de energía, e.g. | eV 3,2 | 300 K |
| Afinidad de electrón | eV 4,1 | 300 K |
| Banda de conducción | | | |
| Separación de la energía entre el valle y los valles EΓ de Γde X | eV 1,4 | 300 K | Bougrov y otros (2001) |
| Separación de la energía entre el valle y L valles ELde Γ | 1,6 eV del ÷ 1,9 | 300 K |
| Densidad eficaz de la banda de conducción de estados | 1,2 x 1018 cm-3 | 300 K |
| Banda de la valencia | | |
| Energía de E que parte vuelta-orbitaltan | 0,02 eV | 300 K |
| Densidad eficaz de la banda de la valencia de estados | 4,1 x 1019 cm-3 | 300 K |
Estructura de banda para la blenda de cinc GaN
 | Estructura de banda de la blenda de cinc GaN (cúbico). Los mínimos importantes de la banda de conducción y de los máximos de la valencia congriegan.
300K; E.g. eVeV =3.2; EX = eV 4,6; EL = eV 4.8-5.1; Etan = 0,02 eV
Para los detalles vea Suzuki, Uenoyama y a Yanase (1995). |
| Zona de Brillouin del enrejado cúbico centrado cara, del enrejado de Bravais del diamante y de las estructuras del zincblende. |
