Tipo libre del substrato N de GaN o semi - aislando para el Rf, el poder, llevado y el Ld

Substrato libre de GaN, tipo de N, semiaislantes para el Rf, el poder, llevado y el Ld

Substrato libre de GaN

PAM-XIAMEN ha establecido la tecnología de fabricación para (nitruro del galio) el   libre de la oblea del substrato del   de GaN que está para UHB-LED y el LD. Crecido por la tecnología de (HVPE) de la epitaxia de la fase de vapor del hidruro, nuestro substrato de GaN tiene densidad baja del defecto y menos o densidad macra libre del defecto.

Especificación del substrato libre de GaN

Aquí muestra la especificación de detalle:

substrato libre de GaN de 2 ″ (50.8m m) (nitruro del galio)

substrato libre de GaN de 1,5 ″ (38.1m m)

15m m, 10m m, substrato libre de 5m m GaN

Nota:

Oblea de la validación: Consideración de la conveniencia del uso, oblea de la validación del zafiro del ″ de la oferta 2 de PAM-XIAMEN para debajo del substrato libre de GaN del tamaño de 2 ″

Uso del substrato de GaN

Iluminación de estado sólido: Los dispositivos de GaN se utilizan como diodos electroluminosos del brillo ultra alto (LED), TV, automóviles, e iluminación general

Almacenamiento del DVD: Diodos láser azules

Dispositivo de poder: Los dispositivos de GaN se utilizan como diversos componentes en electrónica de poder de alta potencia y de alta frecuencia como estaciones base, satélites, amplificadores de potencia, e inversores/convertidores celulares para los vehículos eléctricos (EV) y los vehículos eléctricos híbridos (HEV). La sensibilidad baja de GaN a la radiación ionizante (como otros nitruros del grupo III) le hace un material conveniente para los usos spaceborne tales como órdenes de célula solar para los satélites y los dispositivos de alta potencia, de alta frecuencia para la comunicación, el tiempo, y los satélites de la vigilancia

Ideal para el nuevo crecimiento de los III-nitruros

Estaciones base inalámbricas: Transistores de poder del RF

Acceso de banda ancha inalámbrico: MMICs de alta frecuencia, RF-circuitos MMICs

Sensores de la presión: MEMS

Sensores del calor: detectores Piro-eléctricos

Condicionamiento de poder: Integración de las señales encontradas GaN/Si

Electrónica de automóvil: Electrónica da alta temperatura

Líneas de transmisión de poder: Electrónica de alto voltaje

Sensores del marco: Detectores ULTRAVIOLETA

Células solares: El hueco de la banda amplio de GaN cubre el espectro solar a partir de 0,65 eV al eV 3,4 (que es prácticamente el espectro solar entero), haciendo el nitruro del galio del indio

(InGaN) alea perfecto para crear el material de la célula solar. Debido a esta ventaja, las células solares de InGaN crecidas en los substratos de GaN se contrapesan para convertirse en una de las nuevas aplicaciones y del mercado más importantes del crecimiento para las obleas del substrato de GaN.

Ideal para los HEMTs, FETs