10*10mm2 substratos sin impurificar de GaN/del zafiro
Los productos de la plantilla de PAM-XIAMEN consisten en capas cristalinas de nitruro del galio (GaN), de nitruro de aluminio (AlN), de nitruro de aluminio del galio (AlGaN) y de nitruro del galio del indio (InGaN), que se depositan en los substratos del zafiro. Los productos de la plantilla de PAM-XIAMEN permiten 20-50% duraciones de ciclo más cortas de la epitaxia y capas epitaxiales más de alta calidad del dispositivo, con una mejor calidad estructural y una conductividad termal más alta, que pueden mejorar los dispositivos en el coste, el beneficio, y el funcionamiento.
El PAM-XIAMEN'sGaN en plantillas del zafiro está disponible en diámetros a partir de la 2" hasta 6", y consiste en una capa delgada de GaN cristalino crecida en un substrato del zafiro. plantillas Epi-listas ahora disponibles.
Aquí muestra la especificación de detalle:
10*10mm2 substratos sin impurificar de GaN/del zafiro
| Artículo | PAM-T-GaN-10-U |
| Dimensión | 10X10 milímetro |
| Grueso | μm 5 ±1 |
| Orientación de GaN | Avión de C (0001) del ángulo hacia Uno-AXIS 0,2 ±0.1° |
| Plano de la orientación de GaN | (1-100) 0 ±0.2°, 16 ±1 milímetro |
| Tipo de la conducción | N-tipo |
| Resistencia (300K) | < 0,5 Ω·cm |
| Concentración de portador | <5X1017CM-3 |
| Movilidad | ~ 300cm2/V·s |
| Densidad de dislocación | < 5x108cm-2 (estimado por FWHMs de XRD) |
| Estructura | 5 ±1 μm GaN/~ 50 zafiro del μm del almacenador intermediario layer/430 ±25 del uGaN del nanómetro |
| Orientación del zafiro | Avión de C (0001) del ángulo hacia M-AXIS 0,2 ±0.1° |
| Plano de la orientación del zafiro | (11-20) 0 ±0.2°, 16 ±1 milímetro |
| Aspereza superficial: | Parte delantera: Ra<0.5nm, epi-listo;
Lado trasero: grabado al agua fuerte o pulido. |
| Área usable | > el 90% (exclusión de los defectos del borde y de la macro) |
| Paquete | cada uno en solo envase de la oblea, bajo atmósfera del nitrógeno, llena en sitio limpio de la clase 100 |
10*10mm2 substratos sin impurificar de GaN/del zafiro
Informe de FWHM y de XRD
Un informe de prueba es necesario mostrar la conformidad entre la descripción de encargo y nuestros datos finales de las obleas. Probaremos el characerization de la oblea por el equipo antes del envío, probando la aspereza superficial por el microscopio atómico de la fuerza, el tipo por el instrumento romano de los espectros, la resistencia por el equipo de prueba sin contacto de resistencia, la densidad del micropipe por el microscopio de polarización, la orientación por la radiografía Orientator etc. si las obleas cumplen el requisito, nosotros limpiaremos y embalarlos en sitio limpio de 100 clases, si las obleas no hacen juego espec. de la aduana, la quitaremos.
Proyecto de la prueba: Proyecto de FWHM y de XRD
El de ancho total de media altura (FWHM) es una expresión de la gama de funciones dadas por la diferencia entre dos valores extremos de la variable independiente igual a la mitad de su máximo. Es decir es la anchura de la curva espectral medida entre esos puntos en Y-AXIS, que es mitad de la amplitud máxima.
Abajo está un ejemplo de FWHM y de XRD de la plantilla de AlN:
FWHM y XRD de la plantilla de AlN
FWHM y XRD de la plantilla de AlN
Aquí mostramos el experimento como un ejemplo:
Experimento en GaN en el zafiro: Propiedades optoelectrónicas y caracterización estructural de las películas gruesas de GaN en diversos substratos con la deposición del laser pulsado:
Experimento en GaN en el zafiro: Propiedades optoelectrónicas y caracterización estructural de las películas gruesas de GaN en diversos substratos con la deposición del laser pulsado:
Todas las muestras de la película de GaN fueron depositadas en diversos substratos por PLD en el ◦C 1000 en una atmósfera ambiente del plasma del nitrógeno. La cámara fue bombeada abajo a los torres 10−6 antes de que el proceso de la deposición comenzara, y el gas del N2 (con una pureza de 99,999%) fue introducido. La presión de funcionamiento una vez que el plasma del N2 fue inyectada era el torr 1,13 del × 10−4. Un laser del excímero de KrF (λ = 248 nanómetro, lambda Physik, Fort Lauderdale, FL, los E.E.U.U.) fue empleado como la fuente de la ablación y actuado con un índice de la repetición de 1 herzios y de una energía de pulso de 60 mJ. La tasa de crecimiento media de la película de GaN era aproximadamente 1 µm/h. El de rayo láser era incidente en una blanco giratoria en ángulo de 45◦. La blanco de GaN fue fabricada por HVPE y el sistema en una distancia fija de 9 cm del substrato antes de ser girada en 30 RPM durante la deposición de la película. En este caso, ~4 películas µm-gruesas de GaN fueron crecidas en una plantilla de GaN/del zafiro (muestra A), zafiro (muestra B), Si (111) (la muestra C), y Si (100) (la muestra D). Para el GaN en la muestra A, una capa de los 2-µm GaN en primer lugar fue depositada en el substrato del zafiro por el MOCVD. La microscopia electrónica de la exploración (SEM, S-3000H, Hitachi, Tokio, Japón), el microcopy del electrón de la transmisión (TEM, H-600, Hitachi, Tokio, Japón), la microscopia atómica de la fuerza (AFM, DI-3100, Veeco, Nueva York, NY, los E.E.U.U.), la difracción de radiografía del doble-cristal (XRD, X'Pert FAVORABLE milirutherford, PANalytical, Almelo, los Países Bajos), el photoluminescence a baja temperatura (PL, Flouromax-3, Horiba, Tokio, Japón), y la espectroscopia de Raman (Jobin Yvon, Horiba, Tokio, Japón) fueron empleados para explorar la microestructura y las propiedades ópticas de las plantillas de GaN depositadas en diversos substratos. Las propiedades eléctricas de las películas de GaN fueron determinadas por la medida de Van der Pauw-Pasillo debajo del nitrógeno líquido que se refrescaba en 77 K
El cuadro 3 muestra las imágenes de SEM de la avión-vista de los fifilms de GaN crecidos en los diversos substratos. Las morfologías superficiales muestran diversas características, pues son fuertemente dependientes en los tipos de substratos usados. La superficie de los fifilms de GaN en las muestras A y B estaba espejo-como, indicando menos de una unión mal hecha del enrejado entre GaN y el zafiro (figura 3a, b). La superficie lisa pudo ser debido a la alta energía cinética necesaria por PLD para la migración y la difusión del precursor de GaN en los substratos superficiales [28]. Una superficie áspera de GaNfifilm, mientras tanto, fue observada en la muestra C (figura 3c). La muestra D presentó un incompleto
proceso de la fusión de la isla con una estructura hexagonal, tal y como se muestra en de la figura 3d. Este resultado indica que los fifilms de GaN en Si (100) tienen una fase hexagonal. La diversa estructura del fifilm de GaN de los granos se puede atribuir a la diversa estructura de enrejado del substrato del Si [29]. La morfología y la aspereza superficiales de los fifilms de GaN crecidos en diversos substratos fueron realizadas por medidas del AFM con el área de exploración 10 del × 10 µm2, tal y como se muestra en del cuadro 4.
Cuadro 3. imagen de exploración de la superficie de (SEM) de la microscopia electrónica de los fifilms de GaN crecidos en diferente
substratos: (a) GaN/plantilla del zafiro (muestra A); (b) zafiro (muestra B); (c) Si (111) sia (de la muestra C) (d) (100) (muestreado)
Conclusión: los lms gruesos del fi de GaN crecidos en una plantilla de GaN/del zafiro, el zafiro, Si (111), y Si (100) por PLD de alta temperatura. El efecto del substrato sobre calidad cristalina del crecimiento de GaN, la morfología superficial, el comportamiento de la tensión, y la propiedad del interfaz fueron estudiados, si usted necesita más información de producto, nos investigan por favor.
