Un substrato libre plano de U-GaN Hvpe-GaN para los dispositivos del Iii-nitruro

Un substrato libre plano de U-GaN Hvpe-GaN para los dispositivos del Iii-nitruro

PAM-XIAMEN ha establecido la tecnología de fabricación para (nitruro del galio) la oblea libre del substrato de GaN que está para UHB-LED y el LD. Crecido por la tecnología de (HVPE) de la epitaxia de la fase de vapor del hidruro, nuestro substrato de GaN tiene densidad baja del defecto y menos o densidad macra libre del defecto.

PAM-XIAMEN ofrece la gama completa de GaN y los materiales relacionados de III-N incluyendo los substratos de GaN de diversas orientaciones y conductividad eléctrica, las plantillas del crystallineGaN&AlN, y los epiwafers de encargo de III-N.

Aquí muestra la especificación de detalle:

Un substrato libre plano de U-GaN GaN

Un substrato libre plano de U-GaN GaN

El substrato de GaN de PAM-XIAMEN (nitruro del galio) es substrato monocristal con de alta calidad, que se hace con método de HVPE y tecnología de proceso originales de la oblea. Son uniformidad arriba cristalina, buena, y calidad superficial superior. Los substratos de GaN se utilizan para muchas clases de usos, para LED blanco y LD (violeta, azul y verde), además el desarrollo ha progresado para el poder y las aplicaciones para dispositivos electrónicas de alta frecuencia.

GaN es un muy duro (12±2 GPa, material ancho mecánicamente estable del semiconductor del bandgap con capacidad de alto calor y conductividad termal. En su forma pura resiste el agrietarse y puede ser depositado en película fina en el carburo del zafiro o de silicio, a pesar de la unión mal hecha en sus constantes del enrejado. GaN se puede dopar con el silicio (Si) o con el n-tipo del oxígeno y con el p-tipo de (Mg) del magnesio. Sin embargo, cambio de los átomos del Si y del magnesio la manera que los cristales de GaN crecen, introduciendo tensiones extensibles y haciéndolas frágiles. Los compuestos de Galliumnitride también tienden a tener una alta densidad de dislocación, por orden de 108 a 1010 defectos por centímetro cuadrado. El comportamiento amplio de banda-Gap de GaN está conectado con los cambios específicos en la estructura de banda electrónica, el empleo de la carga y las regiones del vínculo químico.

Constante del enrejado del substrato de GaN

Los parámetros del enrejado del nitruro del galio fueron medidos usando la alta difracción del rayo del ‐ de la resolución x del ‐

GaN, sructure de la wurzita. Los constantes a del enrejado contra temperatura.

GaN, sructure de la wurzita. Los constantes c del enrejado contra temperatura

Propiedades del substrato de GaN

Uso del substrato de GaN

El nitruro del galio (GaN), con un hueco de banda directo del eV 3,4, es un material prometedor en el desarrollo de los dispositivos luminescentes de la cortocircuito-longitud de onda. Otras aplicaciones para dispositivos ópticas para GaN incluyen los lasers del semiconductor y los detectores ópticos.