Substrato libre de U-GaN GaN (nitruro del avión de M del galio) - oblea de Powerway

Substrato libre de U-GaN GaN (nitruro del avión de M del galio) - oblea de Powerway

PAM-XIAMEN ha establecido la tecnología de fabricación para (nitruro del galio) la oblea libre del substrato de GaN que está para UHB-LED y el LD. Crecido por la tecnología de (HVPE) de la epitaxia de la fase de vapor del hidruro, nuestro substrato de GaN tiene densidad baja del defecto y menos o densidad macra libre del defecto.

PAM-XIAMEN ofrece la gama completa de GaN y los materiales relacionados de III-N incluyendo los substratos de GaN de diversas orientaciones y conductividad eléctrica, las plantillas del crystallineGaN&AlN, y los epiwafers de encargo de III-N.

Aquí muestra la especificación de detalle:

Substrato libre de U-GaN GaN del avión de M

Substrato libre de U-GaN GaN del avión de M

La demanda creciente para las capacidades de alta velocidad, das alta temperatura y altas del manejo de la potencia ha hecho que la industria del semiconductor repiensa la opción de los materiales usados como semiconductores. Por ejemplo, como se presentan los diversos dispositivos computacionales más rápidos y más pequeños, el uso del silicio está haciendo difícil sostener la ley de Moore. Pero también en electrónica de poder, las propiedades del silicio son no más suficientes permitir otras mejoras en eficacia de conversión.

Debido a su voltaje de avería único de las características (alto actual máximo, alto, y alta frecuencia que cambia), nitruro del galio (o GaN) es el material único de la opción para solucionar los problemas de energía del futuro. GaN basó sistemas tiene eficacia de mayor potencia, los apagones así de reducción, cambian en una frecuencia más alta, así reduciendo tamaño y el peso.

Constante del enrejado del substrato de GaN

Los parámetros del enrejado del nitruro del galio fueron medidos usando la alta difracción del rayo del ‐ de la resolución x del ‐

GaN, sructure de la wurzita. Los constantes a del enrejado contra temperatura.

GaN, sructure de la wurzita. Los constantes c del enrejado contra temperatura

Propiedades del substrato de GaN

Uso del substrato de GaN

El nitruro del galio (GaN), con un hueco de banda directo del eV 3,4, es un material prometedor en el desarrollo de los dispositivos luminescentes de la cortocircuito-longitud de onda. Otras aplicaciones para dispositivos ópticas para GaN incluyen los lasers del semiconductor y los detectores ópticos.