substrato libre de 10*10mm2 N-GaN GaN
PAM-XIAMEN ha establecido la tecnología de fabricación para (nitruro del galio) la oblea libre del substrato de GaN que está para UHB-LED y el LD. Crecido por la tecnología de (HVPE) de la epitaxia de la fase de vapor del hidruro, nuestro substrato de GaN tiene densidad baja del defecto y menos o densidad macra libre del defecto.
PAM-XIAMEN ofrece la gama completa de GaN y los materiales relacionados de III-N incluyendo los substratos de GaN de diversas orientaciones y conductividad eléctrica, las plantillas del crystallineGaN&AlN, y los epiwafers de encargo de III-N.
Aquí muestra la especificación de detalle:
substrato libre de 10*10mm2 N-GaN GaN
| Artículo | PAM-FS-GaN-50-N |
| Dimensión | 10 x 10,5 milímetros2 |
| Grueso | 350 ±25 µm del µm 430±25 |
| Orientación | Avión de C (0001) del ángulo hacia M-AXIS 0,35 ±0.15° |
| Tipo de la conducción | N-tipo |
| Resistencia (300K) | < 0,05 Ω·cm |
| TTV | µm del ≤ 10 |
| ARCO | -10 µm del ≤ 10 del ARCO del ≤ del µm |
| Aspereza superficial: | Parte delantera: Ra<0.2nm, epi-listo; Lado trasero: Tierra fina o pulido. |
| Densidad de dislocación | A partir de la 1 de x 105 a 5x 106 cm-2 (calculado por el CL) * |
| Densidad macra del defecto | 0 cm2s |
| Área usable | > el 90% (exclusión del borde) |
| Paquete | cada uno en solo envase de la oblea, bajo atmósfera del nitrógeno, llena en sitio limpio de la clase 100 |
substrato libre de 10*10mm2 N-GaN GaN
El substrato de GaN de PAM-XIAMEN (nitruro del galio) es substrato monocristal con de alta calidad, que se hace con método de HVPE y tecnología de proceso originales de la oblea. Son uniformidad arriba cristalina, buena, y calidad superficial superior. Los substratos de GaN se utilizan para muchas clases de usos, para LED blanco y LD (violeta, azul y verde), además el desarrollo ha progresado para el poder y las aplicaciones para dispositivos electrónicas de alta frecuencia.
GaN es un muy duro (12±2 GPa, material ancho mecánicamente estable del semiconductor del bandgap con capacidad de alto calor y conductividad termal. En su forma pura resiste el agrietarse y puede ser depositado en película fina en el carburo del zafiro o de silicio, a pesar de la unión mal hecha en sus constantes del enrejado. GaN se puede dopar con el silicio (Si) o con el n-tipo del oxígeno y con el p-tipo de (Mg) del magnesio. Sin embargo, cambio de los átomos del Si y del magnesio la manera que los cristales de GaN crecen, introduciendo tensiones extensibles y haciéndolas frágiles. Los compuestos de Galliumnitride también tienden a tener una alta densidad de dislocación, por orden de 108 a 1010 defectos por centímetro cuadrado. El comportamiento amplio de banda-Gap de GaN está conectado con los cambios específicos en la estructura de banda electrónica, el empleo de la carga y las regiones del vínculo químico.
INFORME de la material-PRUEBA de Transmitance-GaN
Un informe de prueba es necesario mostrar la conformidad entre la descripción de encargo y nuestros datos finales de las obleas. Probaremos el characerization de la oblea por el equipo antes del envío, probando la aspereza superficial por el microscopio atómico de la fuerza, el tipo por el instrumento romano de los espectros, la resistencia por el equipo de prueba sin contacto de resistencia, la densidad del micropipe por el microscopio de polarización, la orientación por la radiografía Orientator etc. si las obleas cumplen el requisito, nosotros limpiaremos y embalarlos en sitio limpio de 100 clases, si las obleas no hacen juego espec. de la aduana, la quitaremos.
Proyecto de la prueba: Transmitance
La transmitencia de la superficie de la oblea es la eficacia de su transmisión de la energía radiativa. Comparado con el coeficiente de transmisión, es la fracción del poder electromágnetico del incidente transmitido a través de la muestra, y el coeficiente de transmisión es el ratio del campo eléctrico transmitido al campo eléctrico del incidente.
Abajo está un ejemplo de Transmitance del material de GaN:
Transmitance del material de GaN
