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Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

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Casa / Productos / Mosfet Power Transistor / Transistor de poder del Mosfet de RA30H1317M para la radio móvil 135-175MHz 30W 12.5V /

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Chip CI programable

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chip CI electrónico

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Unidad del microcontrolador de MCU

 [46]

transistor de poder del mosfet

 [67]

Condensador de fines generales

 [35]

Módulo de alimentación IGBT

 [22]

interruptor de la retransmisión del poder

 [22]

Inductor de la gota de ferrita

 [11]

Oscilador superficial del soporte

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Piezas del interruptor de eje de balancín

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chip de alta potencia led

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Varistor

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Transistor de poder del Mosfet de RA30H1317M para la radio móvil 135-175MHz 30W 12.5V
Transistor de poder del Mosfet de RA30H1317M para la radio móvil 135-175MHz 30W 12.5V
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Transistor del Mosfet del poder de RA30H1317M para el uso de radio móvil 135-175MHz 30W 12.5V DESCRIPCIÓN El RA30H1317M es un módulo del amplificador ...
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