Transistor de poder del Mosfet de RA30H1317M para la radio móvil 135-175MHz 30W 12.5V

Transistor del Mosfet del poder de RA30H1317M para el uso de radio móvil 135-175MHz 30W 12.5V

DESCRIPCIÓN

El RA30H1317M es un módulo del amplificador del MOSFET del RF de 30 vatios para las radios móviles de 12,5 voltios que actúan en los 135 - a la gama 175-MHz. La batería se puede conectar directamente con el dren de los transistores del MOSFET del aumento-modo. Sin el voltaje de la puerta (VGG=0V), solamente una pequeña corriente de la salida fluye en el dren y la señal de entrada del RF atenúa DB hasta 60. El aumento actual de potencia de salida y del dren como el voltaje de la puerta aumenta. Con un voltaje de la puerta alrededor de aumentos actuales de 3.5V (mínimo), de potencia de salida y del dren substancialmente. El de potencia de salida nominal está disponible en 4V (típico) y 5V (máximo). En VGG=5V, la corriente típica de la puerta es 1 mA. Este módulo se diseña para la modulación no lineal de FM, pero se puede también utilizar para la modulación linear fijando la corriente quieta del dren con el voltaje de la puerta y controlando el de potencia de salida con la energía de entrada.

CARACTERÍSTICAS

1, transistores del MOSFET del Aumento-modo (IDD@0 @ VDD=12.5V, VGG=0V) • Pout>30W, el hT>40% @ VDD=12.5V, VGG=5V, Pin=50mW

2, gama de frecuencia de banda ancha: 135-175MHz

3, control de baja potencia IGG=1mA actual (tipo) en VGG=5V

4, tamaño del módulo: 66 X 21 x 9,88 milímetros

5, operación linear es posibles fijando el dren quieto actual con el voltaje de la puerta y controlando el de potencia de salida con la energía de entrada