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Bomkey ( HK ) Electronic Co.,Limited

País/Región:china

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1 - 10 De 2000

Dispositivos de semiconductor discretos

DTC143ZEBTL

Transistor bipolar pre-biasado (BJT) NPN - 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW de montaje de superficie pre-biasado EMT3F (SOT-416FL)

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PDTB113ZS,126

Transistor bipolar pre-biasado (BJT) PNP - Pre-biasado 50 V 500 mA 500 mW a través del agujero TO-92-3

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DRC9A43E0L

Transistor bipolar pre-biasado (BJT) NPN - Pre-biasado 50 V 80 mA 125 mW Monte de superficie SSMini3-F3-B

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DRA5L14Y0L

Transistores bipolares (BJT) pre-biasados PNP - Pre-biasados 30 V 100 mA 150 mW Monte de superficie SMini3-F2-B

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DRC9144W0L

Transistor bipolar pre-biasado (BJT) NPN - 50 V 100 mA 125 mW de montaje de superficie pre-biasado SSMini3-F3-B

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DTA123JEFRATL

Transistores bipolares (BJT) pre-biasados PNP - 100 mA 250 MHz 150 mW de montaje de superficie pre-biasados EMT3

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PDTC115FUE

Transistores bipolares (BJT) pre-biasados NPN - soporte de superficie pre-biasado de 20 mA SOT-323

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No obstante lo dispuesto en el apartado 1, los Estados miembros podrán autorizar el uso de las mismas.

Transistor bipolar pre-biasado (BJT) NPN - Pre-biasado 50 V 800 mA 300 MHz 200 mW Monte de superficie S-Mini

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PDTD123YUX

Transistores bipolares (BJT) NPN - 50 V 500 mA 225 MHz 300 mW con montaje de superficie previo al sesgo

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RN1417 ((TE85L,F)

Transistores bipolares pre-biasados (BJT) NPN - Pre-biasados 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW S-Mini montado en la superficie

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