PDTB113ZS,126

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Categoría :Productos discretos de semiconductores Transistores Bipolaridad (BJT) Transistores bipolares de un s

Corriente - colector (Ic) (máximo) :500 mA

Estado del producto :No está disponible

Tipo de transistor :PNP - Prejuiciado

Tipo de montaje :A través del agujero

Paquete :Cintas y cajas (TB)

Serie :-

Vce saturación (máx) @ Ib, Ic :300mV @ 2.5mA, 50mA

Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo) :50 V

Paquete de dispositivos del proveedor :TO-92-3

Resistencia - Base (R1) :kOhms 1

El Sr. :Estados Unidos Inc.

Resistencia - Base del emisor (R2) :10 kOhms

Corriente - límite del colector (máximo) :500 nA

Potencia - máximo :500 mW

Envase / estuche :TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) formó las ventajas

La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce :70 @ 50mA, 5V

Número del producto de base :PDTB113

Descripción :Trans Prebias PNP 500 MW TO92-3

Las existencias :En stock

Método de envío :Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo

Condiciones de pago :LC, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram

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Transistor bipolar pre-biasado (BJT) PNP - Pre-biasado 50 V 500 mA 500 mW a través del agujero TO-92-3

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