RN1417 ((TE85L,F)

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Categoría :Productos discretos de semiconductores Transistores Bipolaridad (BJT) Transistores bipolares de un s

Corriente - colector (Ic) (máximo) :100 MA

Estado del producto :Actividad

Tipo de transistor :NPN - Pre-en polarización negativa

Frecuencia - Transición :250 MHz

Tipo de montaje :Montura de la superficie

Paquete :Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®

Serie :-

Vce saturación (máx) @ Ib, Ic :Las emisiones de dióxido de carbono de los combustibles fósiles se calcularán en función de las emis

Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo) :50 V

Paquete de dispositivos del proveedor :S-mini

Resistencia - Base (R1) :10 kOhms

El Sr. :Toshiba Semiconductor y almacenamiento

Resistencia - Base del emisor (R2) :4,7 kiloohmios

Corriente - límite del colector (máximo) :500 nA

Potencia - máximo :200 mW

Envase / estuche :TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 y otros

La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce :30 @ 10mA, 5V

Número del producto de base :No incluidos en la lista

Descripción :Trans Prebias NPN 50V 0.1A SMINI

Las existencias :En stock

Método de envío :Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo

Condiciones de pago :LC, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram

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Transistores bipolares pre-biasados (BJT) NPN - Pre-biasados 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW S-Mini montado en la superficie

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