Productos proveedores Sign in Register

KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Establecieron al proveedor del punto en China, TECNOLOGÍA CO., Ltd de YJDN en 2008. Uno de los distribuidores más grandes de los componentes electrónicos de Hong-Kong y de Shenzhen, China.YDJN

Manufacturer from China
Miembro activo
3 Años
Casa Catalogo de productos Perfil de la compañía Control de calidad Contáctenos Solicitud de una cuota
Español
Casa / Productos / Field Effect Transistor /

Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo SI7288DP-T1-GE3

Categorías de Producto

circuitos integrados ics

 [2964]

Chip IC de memoria

 [2994]

Aislador análogo IC

 [2489]

Microcontroladores y procesadores integrados

 [2717]

Transistor de efecto de campo

 [1605]

Módulo de potencia IGBT

 [1002]

Triodo del diodo

 [300]

Condensador de fines generales

 [40]

Los conectores interconectan

 [83]

Inductor del poder de SMD

 [100]

Componente de la retransmisión

 [112]

Fusibles de la protección de circuito

 [186]
Contacta
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED
País/Región:china
Persona de contacto:MissVicky
Ver detalles de contacto
Contacta
China Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo SI7288DP-T1-GE3 wholesale
  • China Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo SI7288DP-T1-GE3 wholesale

Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo SI7288DP-T1-GE3
Preguntar último precio
Número de parte :SI7288DP-T1-GE3
Fabricante :Vishay Siliconix
Descripción :MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO-8
Categoría :Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Familia :Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Serie :TrenchFET®
Lugar del origen :Original
Cantidad de orden mínima :Negociable
Plazo de expedición :Negociable
Condiciones de pago :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :100000
more
Contacta

Add to Cart
Buscar vídeos similares
Ver descripción del producto

Especificaciones SI7288DP-T1-GE3

Situación de la parte Activo
Tipo del FET Canal N 2 (dual)
Característica del FET Estándar
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 40V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 20A
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 19 mOhm @ 10A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 2.8V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 15nC @ 10V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 565pF @ 20V
Poder - máximo 15.6W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete/caso PowerPAK® SO-8 dual
Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8 dual
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado SI7288DP-T1-GE3

Detección

Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo SI7288DP-T1-GE3Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo SI7288DP-T1-GE3Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo SI7288DP-T1-GE3Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo SI7288DP-T1-GE3

Etiquetas de productos:

mosfet array ic

mosfet array

npn transistor array
Carro de la investigación 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4