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Casa / Productos / Integrated Circuit Components / BSS123LT1G MOSFET de canal N, bajo 170mΩ RDS(on), 20V VDS, 100V, clasificación de avalancha. Ideal para conmutación de baja potencia, conmutación de carga y conversión CC-CC con su encapsulado SOT-23 y protección ESD. /

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BSS123LT1G MOSFET de canal N, bajo 170mΩ RDS(on), 20V VDS, 100V, clasificación de avalancha. Ideal para conmutación de baja potencia, conmutación de carga y conversión CC-CC con su encapsulado SOT-23 y protección ESD.
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