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BSS123LT1G MOSFET de canal N, bajo RDS(on) de 170mΩ, VDS de 20V, VDS de 100V, clasificación de avalancha, ideal para conmutación de carga de baja potencia y conversión CC-CC con su encapsulado SOT-23 y protección ESD
Características
•HBM Clase 0A, MM Clase M1B (Nota 4)
•Prefijo BVSS para aplicaciones automotrices y otras que requieren requisitos únicos de cambio de sitio y control; Calificado AEC−Q101 y capaz de PPAP
•Estos dispositivos no contienen Pb y cumplen con RoHS
Aplicaciones
Conmutación de carga: Controlar el encendido/apagado de secciones de un circuito.
Cambio de nivel: Convertir señales entre circuitos de diferentes dominios de voltaje (por ejemplo, convertir una señal de 3,3 V a 5 V).
Control de LED: Actuar como un interruptor para controlar los estados de encendido/apagado de los LED o para la atenuación PWM simple.
Buffer/Control de interfaz lógica: Mejorar la capacidad de control de los pines GPIO del microcontrolador para controlar cargas más grandes.
Conmutación de alta velocidad: Se utiliza en la rectificación síncrona del lado secundario en fuentes de alimentación conmutadas, convertidores CC-CC (baja potencia).
Electrónica de consumo: Dispositivos portátiles como teléfonos móviles, tabletas, cámaras digitales.
Electrónica automotriz: Módulos de control de carrocería, interfaces de sensores, etc. (Nota: Verifique si la pieza específica está calificada por AEC; el BSS123LT1G es típicamente de grado industrial/comercial).
Descripción
1: Voltaje de umbral bajo (Vgs(th)): Típicamente entre 1,6 V y 2,1 V, lo que significa que puede ser controlado directamente por voltajes bajos (por ejemplo, 3,3 V o incluso 2,5 V
GPIO de un microcontrolador), lo que lo hace ideal para aplicaciones de nivel lógico.
2: Baja resistencia de encendido (RDS(on)): Máximo de solo 6Ω a 10V Vgs y 10Ω a 4.5V Vgs. Un RDS(on) más bajo significa menos pérdida de potencia y voltaje
caída cuando se enciende, lo que lleva a una mayor eficiencia.
3: Paquete pequeño (SOT-23): Huella muy pequeña, lo que ahorra espacio en la PCB, ideal para la electrónica compacta moderna.
4: Rendimiento de conmutación de alta velocidad: Cuenta con velocidades de conmutación rápidas, adecuadas para aplicaciones que requieren conmutación frecuente, como PWM
control.
5: Corriente de drenaje continua (Id): Hasta 170mA, adecuado para controlar cargas pequeñas como LED, pequeños relés, motores, etc.
6: Voltaje de drenaje-fuente (Vdss): Máximo de 100V, lo que permite su uso en circuitos con voltajes relativamente más altos.
INFORMACIÓN
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Categoría
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Mfr
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Serie
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-
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Empaquetado
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Cinta y carrete (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
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Estado de la pieza
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Activo
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Tipo de FET
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Tecnología
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Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
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100 V
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Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C
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Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)
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10V
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Rds On (Máx) @ Id, Vgs
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6Ohm @ 100mA, 10V
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Vgs(th) (Máx) @ Id
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2.6V @ 1mA
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Vgs (Máx)
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±20V
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Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx) @ Vds
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20 pF @ 25 V
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Característica FET
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-
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Disipación de potencia (Máx)
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225mW (Ta)
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Temperatura de funcionamiento
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Grado
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-
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Calificación
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-
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Tipo de montaje
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Montaje en superficie
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Paquete del dispositivo del proveedor
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SOT-23-3 (TO-236)
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Paquete / Estuche
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Número de producto base
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Dibujo
Nuestra ventaja:teléfonos, PDA, computadoras portátiles
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Lista de productos
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