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SI2304DS, MOSFET de canal N de 20 V y 3,7 A con RDS(on) ultra bajo de 45 mΩ, paquete SOT-23, alto rendimiento, gestión de energía de eficiencia mejorada y accionamiento de puerta de nivel lógico para diseños con limitaciones de espacio

SI2304DS, MOSFET de canal N de 20 V y 3,7 A con RDS(on) ultra bajo de 45 mΩ, paquete SOT-23, alto rendimiento, gestión de energía de eficiencia mejorada y accionamiento de puerta de nivel lógico para diseños con limitaciones de espacio
  • SI2304DS, MOSFET de canal N de 20 V y 3,7 A con RDS(on) ultra bajo de 45 mΩ, paquete SOT-23, alto rendimiento, gestión de energía de eficiencia mejorada y accionamiento de puerta de nivel lógico para diseños con limitaciones de espacio
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SI2304DS, MOSFET N-Channel de 20 V y 3,7 A con RDS(on) ultra bajo de 45 mΩ, paquete SOT-23, gestión de energía de alta eficiencia mejorada y ...
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