SI2304DS, MOSFET N-Channel de 20 V y 3,7 A con RDS(on) ultra bajo de 45 mΩ, paquete SOT-23, gestión de energía de alta eficiencia mejorada y accionamiento de puerta de nivel lógico para diseños con limitaciones de espacio

Características

Tecnología TrenchMOS™

Conmutación muy rápida

Paquete de montaje en superficie subminiatura.

Aplicaciones

Gestión de baterías

Interruptor de alta velocidad

Convertidor de CC a CC de baja potencia.

Descripción

Transistor de efecto de campo de modo de realce de canal N en un paquete de plástico que utiliza la tecnología TrenchMOS™1

Disponibilidad del producto: SI2304DS en SOT23.

INFORMACIÓN

Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET individuales, MOSFET
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Serie	TrenchMOS™
Empaquetado	Cinta y carrete (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de la pieza	Obsoleto
Tipo de FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido metálico)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)	30 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	1,7 A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5 V, 10 V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs	117 mOhm @ 500 mA, 10 V
Vgs(th) (Máx) @ Id	2 V @ 1 mA
Carga de puerta (Qg) (Máx) @ Vgs	4,6 nC @ 10 V
Vgs (Máx)	±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx) @ Vds	195 pF @ 10 V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	830 mW (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-65°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-236AB
Paquete / Caja	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Dibujo

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Lista de productos
Suministramos una serie de componentes electrónicos, una gama completa de semiconductores, componentes activos y pasivos. Podemos ayudarle a obtener todo para la lista de materiales (BOM) de la PCB, en una palabra, puede obtener una solución integral aquí,

Las ofertas incluyen:
Circuito integrado, circuitos integrados de memoria, diodo, transistor, condensador, resistencia, varistor, fusible, recortador y potenciómetro, transformador, batería, cable, relé, interruptor, conector, bloque de terminales, cristal y oscilador, inductor, sensor, transformador, controlador IGBT, LED, LCD, convertidor, PCB (placa de circuito impreso), PCBA (ensamblaje de PCB)

Fuertes en marcas:
Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK, etc.

Carro de la investigación 0

SI2304DS, MOSFET de canal N de 20 V y 3,7 A con RDS(on) ultra bajo de 45 mΩ, paquete SOT-23, alto rendimiento, gestión de energía de eficiencia mejorada y accionamiento de puerta de nivel lógico para diseños con limitaciones de espacio

Módulo 4G 5G

Módulo de comunicación inalámbrico

Módulo receptor GPS

Módulos de Potencia Integrados

componentes del circuito integrado

Componentes electrónicos pasivos

antena de gps de alta ganancia

antena inalámbrica de la comunicación

antena combinada

Antenna de baja frecuencia

Antena de TV de Digitaces

cable coaxial de RF

conector coaxial del rf

PCB Servicios de la Asamblea

Conectores del bloque terminal

SI2304DS, MOSFET de canal N de 20 V y 3,7 A con RDS(on) ultra bajo de 45 mΩ, paquete SOT-23, alto rendimiento, gestión de energía de eficiencia mejorada y accionamiento de puerta de nivel lógico para diseños con limitaciones de espacio