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Walton Electronics Co., Ltd.

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MOSFET discreto del chip CI del transistor de los semiconductores de TK30E06N1 S1X a través del agujero

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Ciudad:shenzhen
País/Región:china
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China MOSFET discreto del chip CI del transistor de los semiconductores de TK30E06N1 S1X a través del agujero wholesale
  • China MOSFET discreto del chip CI del transistor de los semiconductores de TK30E06N1 S1X a través del agujero wholesale

MOSFET discreto del chip CI del transistor de los semiconductores de TK30E06N1 S1X a través del agujero
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Number modelo :TK30E06N1, S1X
Lugar del origen :Original
Cantidad de orden mínima :10pcs
Condiciones de pago :L/C, Western Union, palpay
Capacidad de la fuente :1000PCS/Months
Plazo de expedición :2-3 días laborables
Detalles de empaquetado :Estándar
Nombre de producto :TK30E06N1 S1X
Categoría de producto :MOSFET
Montaje de estilo :A través del agujero
Paquete/caso :TO-220-3
Polaridad del transistor :Canal N
Altura :15,1 milímetros
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TK30E06N1, MOSFET discreto de los transistores de los semiconductores de S1X a través del agujero

 

. Ofrece (1) en-resistencia baja de la dren-fuente: MΩ 12,2 del RDS (ENCENDIDO) = (tipo.) (VGS = 10 V)

(2) corriente baja de la salida: IDSS = µA 10 (máximo) (VDS = 60 V)

(3) modo del aumento: Vth = 2,0 a 4,0 V (VDS = 10 V, identificaciones = 0,2 mA)

 

MOSFET discreto del chip CI del transistor de los semiconductores de TK30E06N1 S1X a través del agujero

 

MOSFET
RoHS: Detalles
Si
A través del agujero
TO-220-3
Canal N
1 canal
60 V
43 A
15 mOhms
- 20 V, + 20 V
2 V
16 nC
- 55 C
+ 150 C
53 W
Aumento
U-MOSVIII-H
Tubo
Configuración: Solo
Altura: 15,1 milímetros
Longitud: 10,16 milímetros
Tipo de producto: MOSFET
Serie: TK30E06N1
Cantidad del paquete de la fábrica: 50
Subcategoría: MOSFETs
Tipo del transistor: 1 canal N
Anchura: 4,45 milímetros
Peso de unidad: 0,068784 onzas

 

 
Etiquetas de productos:

mosfet chip

mosfet ic

ic mosfet
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