Otomo Semiconductor Technology (Shenzhen) Co., Ltd

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Manufacturer from China
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5 Años
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Tipo material del transistor del triodo del silicio de los transistores de poder de la extremidad MJE13003 NPN

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Otomo Semiconductor Technology (Shenzhen) Co., Ltd
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Ciudad:shenzhen
País/Región:china
Persona de contacto:MrJimmy Lee
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Tipo material del transistor del triodo del silicio de los transistores de poder de la extremidad MJE13003 NPN

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Place of Origin :ShenZhen China
Brand Name :OTOMO
Certification :RoHS、SGS
MOQ :1000-2000 PCS
Price :Negotiated
Packaging Details :Boxed
Delivery Time :1 - 2 Weeks
Payment Terms :L/C T/T Western Union
Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day
Model Number :MJE13003
Type :Triode Transistor
Material :Silicon
Power mosfet transistor :TO-126 Plastic-Encapsulate
Product name :semiconductor triode type
Tj :150℃
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TO-126 Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores MJE13003 (NPN)

 

 

CARACTERÍSTICA
 

Usos que cambian del poder de Ÿ

 

 

MARCA

Código de MJE13003=Device

Punto sólido = dispositivo compuesto que moldea verde, si ninguno, el dispositivo normal

Tipo material del transistor del triodo del silicio de los transistores de poder de la extremidad MJE13003 NPN

 

Tipo material del transistor del triodo del silicio de los transistores de poder de la extremidad MJE13003 NPN

 

 

INFORMACIÓN EL ORDENAR

Número de parte Paquete Método que embala Cantidad del paquete
MJE13003 TO-126 Bulto 200pcs/Bag
MJE13003-TU TO-126 Tubo 60pcs/Tube


 

 

 

 

GRADOS MÁXIMOS (TA =25 Š a menos que se indicare en forma diferente)

 

Símbolo Parámetro Valor Unidad
VCBO Colector - voltaje bajo 600 V
VCEO Voltaje del Colector-emisor 420 V
VEBO Voltaje de la Emisor-base 7 V
IC Corriente de colector - continua 0,2
PC Disipación de poder del colector 0,75 W
TJ Temperatura de empalme 150
Tstg Temperatura de almacenamiento -55 ~150

 

 

 

 


CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

 

 

TA =25 Š salvo especificación de lo contrario


 

Parámetro Símbolo Condiciones de prueba Minuto Tipo Máximo Unidad
voltaje de avería de la Colector-base V (BR) CBO IC = 0.1mA, IE =0 600     V
voltaje de avería del Colector-emisor CEO DE V (BR) IC = 1mA, IB =0 400     V
voltaje de avería de la Emisor-base V (BR) EBO IE =0.1MA, IC =0 6     V
Corriente de atajo de colector ICBO VCB =600V, IE =0     100 UA
Corriente de atajo de colector ICEO VCE =400V, IB =0     100 UA
Corriente del atajo del emisor IEBO VEB =7V, IC =0     10 UA
Aumento actual de DC hFE (1)* VCE =10V, IC =200MA 20   30  
hFE (2) VCE =10V, IC =250ΜA 5    
voltaje de saturación del Colector-emisor VCE (se sentó) 1 IC =200MA, IB =40MA     0,5 V
Voltaje de saturación del emisor de base VBE (se sentó) IC =200MA, IB =40MA     1,1 V
Frecuencia de la transición pie VCE =10V, IC =100mA, f=1MHz 5     Megaciclo
Tiempo de caída tf IC =100mA     0,5 μs
Tiempo de almacenamiento tS* IC =100mA 2   4

 

 
Dimensiones del esquema del paquete TO-92

 

 

Símbolo Dimensiones en milímetros Dimensiones en pulgadas
  Minuto Máximo Minuto Máximo
2,500 2,900 0,098 0,114
A1 1,100 1,500 0,043 0,059
b 0,660 0,860 0,026 0,034
b1 1,170 1,370 0,046 0,054
c 0,450 0,600 0,018 0,024
D 7,400 7,800 0,291 0,307
E 10,600 11,000 0,417 0,433
e 2,290 TIPO 0,090 TIPOS
e1 4,480 4,680 0,176 0,184
h 0,000 0,300 0,000 0,012
L 15,300 15,700 0,602 0,618
L1 2,100 2,300 0,083 0,091
P 3,900 4,100 0,154 0,161
Φ 3,000 3,200 0,118 0,126

 

 

Tipo material del transistor del triodo del silicio de los transistores de poder de la extremidad MJE13003 NPN

 

 

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