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Beijing Silk Road Enterprise Management Services Co.,LTD

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Carga baja dual de la puerta del transistor de poder del Mosfet del canal N 8H02ETS 20V

Categorías de Producto

STM32 IC

 [20]

Estabilizador IC del voltaje

 [92]

Unidad del microcontrolador de MCU

 [214]

Transistor de poder del Mosfet

 [50]

Transistores de poder de la extremidad

 [6]

Transistor de poder del silicio

 [6]

Diodo que cambia dual

 [6]

Mosfet en doble canal

 [2]

Diodo de rectificador rápido de la recuperación

 [2]

Mos Field Effect Transistor

 [20]

Diodo Zener del poder

 [2]

Puente rectificador de Schottky

 [2]

Diodo de rectificador de alto voltaje

 [2]
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China Carga baja dual de la puerta del transistor de poder del Mosfet del canal N 8H02ETS 20V wholesale
  • China Carga baja dual de la puerta del transistor de poder del Mosfet del canal N 8H02ETS 20V wholesale

Carga baja dual de la puerta del transistor de poder del Mosfet del canal N 8H02ETS 20V
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Lugar del origen :Shenzhen China
Cantidad de orden mínima :PCS 1000-2000
Detalles de empaquetado :Encajonado
Plazo de expedición :1 - 2 semanas
Condiciones de pago :L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente :18,000,000PCS/por día
Number modelo :8H02ETS
Nombre de producto :Transistor de poder del Mosfet
VDSS :6,0 A
USO :Gestión del poder
CARACTERÍSTICA :Carga baja de la puerta
Transistor del mosfet del poder :SOT-23-6L Plástico-encapsulan
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MOSFET del modo del aumento de 20V N+N-Channel

 

 

 

DESCRIPCIÓN

El 8H02ETSuses avanzó tecnología del foso a

proporcione el RDS excelente (ENCENDIDO), la carga baja de la puerta y

operación con los voltajes de la puerta tan bajos como 2.5V.

 

 

CARACTERÍSTICAS GENERALES

VDS = 20V, IDENTIFICACIÓN = 7A

8H02TS RDS (ENCENDIDO) < 28m="">

RDS (ENCENDIDO) < 26m="">

RDS (ENCENDIDO) < 22m="">

RDS (ENCENDIDO) < 20m="">

Grado del ESD: 2000V HBM

 

 

Uso

Protección de la batería

Gestión del poder del interruptor de la carga

 

Carga baja dual de la puerta del transistor de poder del Mosfet del canal N 8H02ETS 20V

 

 

 

 

Marca del paquete e información el ordenar

 

 

Identificación del producto Paquete Marca Qty (PCS)
8H02ETS TSSOP-8 8H02ETS WW YYYY 5000/3000

 

 

 

GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS (TA=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)

 

 

Parámetro Símbolo Límite Unidad
Voltaje de la Dren-fuente VDS 20 V
Voltaje de la Puerta-fuente VGS ±12 V
Drene Current-Continuous@ Actual-pulsado (la nota 1) Identificación 7 V
Disipación de poder máxima Paladio 1,5 W
Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento TJ, TSTG -55 a 150 ℃
Resistencia termal, Empalme-a-ambiente (nota 2) RθJA 83 ℃/W

 

 

 

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (TA=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)

 

 

Carga baja dual de la puerta del transistor de poder del Mosfet del canal N 8H02ETS 20V

 

 

NOTAS: 1. grado repetidor: Anchura de pulso limitada por temperatura de empalme máxima. 2. superficial montado en FR4 el tablero, sec del ≤ 10 de t. 3. prueba del pulso: ≤ 300μs, ≤ el 2% de la anchura de pulso del ciclo de trabajo. 4. garantizado por diseño, no conforme a la prueba de la producción.
 
 
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Y TERMALES TÍPICAS
 
 
Carga baja dual de la puerta del transistor de poder del Mosfet del canal N 8H02ETS 20V
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Carga baja dual de la puerta del transistor de poder del Mosfet del canal N 8H02ETS 20V
 
 
Carro de la investigación 0

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