Otomo Semiconductor Technology (Shenzhen) Co., Ltd

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Manufacturer from China
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5 Años
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Interruptor del Mosfet de la lógica de HXY9926A, canal N dual del interruptor del Mosfet ±1.2v VGS

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Otomo Semiconductor Technology (Shenzhen) Co., Ltd
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Ciudad:shenzhen
País/Región:china
Persona de contacto:MrJimmy Lee
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Interruptor del Mosfet de la lógica de HXY9926A, canal N dual del interruptor del Mosfet ±1.2v VGS

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Lugar del origen :Shenzhen China
Cantidad de orden mínima :PCS 1000-2000
Detalles de empaquetado :Encajonado
Plazo de expedición :1 - 2 semanas
Condiciones de pago :L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente :18,000,000PCS/por día
Number modelo :HXY9926A
Nombre de producto :Transistor de poder del Mosfet
VDS :20v
Caso :Cinta/bandeja/carrete
VGS :±1.2v
Corriente continua del dren :6.5A
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MOSFET dual del canal N de HXY9926A 20V

 

 

Descripción general

 

El HXY9926A utiliza tecnología avanzada del foso a

proporcione el RDS excelente (ENCENDIDO), la carga de la puerta y la operación bajas

con los voltajes de la puerta tan bajos como 1.8V mientras que conserva un 12V

Grado de VGS (max). Este dispositivo es conveniente para el uso como unidireccional

o interruptor bidireccional de la carga.

 

 

Resumen del producto

 

Interruptor del Mosfet de la lógica de HXY9926A, canal N dual del interruptor del Mosfet ±1.2v VGS

 

 

 

Grados máximos absolutos T =25°C a menos que se indicare en forma diferente

 

Interruptor del Mosfet de la lógica de HXY9926A, canal N dual del interruptor del Mosfet ±1.2v VGS

 

 

Características eléctricas (T =25°C a menos que se indicare en forma diferente)

 

 

Interruptor del Mosfet de la lógica de HXY9926A, canal N dual del interruptor del Mosfet ±1.2v VGS

 

 

A. El valor de RθJA se mide con el dispositivo montado en tablero de 1in2 FR-4 con 2oz. Cobre, en un ambiente de aire inmóvil con TA =25°C.

el valor en cualquier uso dado depende del diseño específico del tablero del usuario.

B. El paladio de la disipación de poder se basa en TJ (max) =150°C, usando resistencia termal empalme-a-ambiente del ≤ 10s.

El grado de C. Repetitive, anchura de pulso limitada por grados de la temperatura de empalme TJ (max) =150°C. se basa en de baja fricción y ciclos de trabajo para guardar

D. El RθJA es la suma de la impedancia termal del empalme para llevar RθJL y a llevar a ambiente.

E. Las características estáticas en los cuadros 1 a 6 se obtienen usando <300>

 

 

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Y TERMALES TÍPICAS

 

Interruptor del Mosfet de la lógica de HXY9926A, canal N dual del interruptor del Mosfet ±1.2v VGSInterruptor del Mosfet de la lógica de HXY9926A, canal N dual del interruptor del Mosfet ±1.2v VGS

 

 

 

 

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