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Otomo Semiconductor Technology (Shenzhen) Co., Ltd

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Transistores negros del MOSFET del RF de los transistores del efecto de campo del semiconductor de óxido de metal de PD57018-E RF (MOSFET del RF)

Categorías de Producto

STM32 IC

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Estabilizador IC del voltaje

 [52]

Unidad del microcontrolador de MCU

 [109]

Transistor de poder del Mosfet

 [25]

Transistores de poder de la extremidad

 [3]

Transistor de poder del silicio

 [3]

Diodo que cambia dual

 [3]

Mosfet en doble canal

 [1]

Diodo de rectificador rápido de la recuperación

 [1]

Mos Field Effect Transistor

 [10]

Diodo Zener del poder

 [1]

Puente rectificador de Schottky

 [1]

Diodo de rectificador de alto voltaje

 [1]
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Otomo Semiconductor Technology (Shenzhen) Co., Ltd
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Ciudad:shenzhen
País/Región:china
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China Transistores negros del MOSFET del RF de los transistores del efecto de campo del semiconductor de óxido de metal de PD57018-E RF (MOSFET del RF) wholesale
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Transistores negros del MOSFET del RF de los transistores del efecto de campo del semiconductor de óxido de metal de PD57018-E RF (MOSFET del RF)
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Number modelo :PD57018-E
Cantidad de orden mínima :1000
Condiciones de pago :T/T
Capacidad de la fuente :5k-10k por día
Plazo de expedición :5-8 días del trabajo
Detalles de empaquetado :Paquete: QFN
Tipo :circuito integrado
D/c :2021+
Frecuencia - transferencia :Estándar
De potencia de salida :18 W
Temperatura de funcionamiento mínima :- 65 C
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Nombre de producto: PD57018-E Transistores negros del MOSFET del RF de los transistores del efecto de campo del semiconductor de óxido de metal de PD57018-E RF (MOSFET del RF)
Fabricante: STMicroelectronics Categoría de producto: Transistores del efecto de campo del semiconductor de óxido de metal del RF (MOSFET del RF)
Polaridad del transistor: Canal N Tecnología: Si
Corriente Identificación-continua del dren: 2,5 A voltaje de avería de la Vds-dren-fuente: 65 V
Fuente del En-dren del Rds en resistencia: 760 mOhms Frecuencia de funcionamiento: 1 gigahertz
Aumento: DB 16,5 De potencia de salida: 18 W
Temperatura de funcionamiento mínima: - 65 C Temperatura de funcionamiento máximo: + 150 C
Estilo de la instalación: SMD/SMT Paquete/caso: PowerSO-10RF-Formed-4
Paquete: Tubo Marca: STMicroelectronics
Modo del canal: Aumento Configuración: Solo
Transconductancia delantera - minuto: 1 S Altura: 3,5 milímetros
Longitud: 7,5 milímetros Sensibilidad de humedad: Sí
Disipación del Paladio-poder: 31,7 W Tipo de producto: Transistores del MOSFET del RF
Serie: PD57018-E Cantidad que embala de la fábrica: 400
Subcategoría: MOSFETs Tipo: MOSFET del poder del RF
Vgs - voltaje de la Puerta-fuente: 20 V Anchura: 9,4 milímetros
Peso de unidad: 3 g  

 

Etiquetas de productos:

metal oxide semiconductor field effect transistor

igbt semiconductor

rf semiconductor
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