Otomo Semiconductor Technology (Shenzhen) Co., Ltd

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capacidad de oleada de la pérdida de la energía baja del puente rectificador de 70V Schottky alta

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Ciudad:shenzhen
País/Región:china
Persona de contacto:MrJimmy Lee
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capacidad de oleada de la pérdida de la energía baja del puente rectificador de 70V Schottky alta

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Lugar del origen :Shenzhen China
Cantidad de orden mínima :PCS 1000-2000
Detalles de empaquetado :Encajonado
Plazo de expedición :1 - 2 semanas
Condiciones de pago :L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente :18,000,000PCS/por día
Number modelo :MBRB10100CT-B
Transistor del mosfet del poder :TO-263-2L Plástico-encapsulan los diodos
Tipo :Puente rectificador de Schottky
CARACTERÍSTICA :Pérdida de la energía baja, eficacia alta
Voltaje reverso del RMS :70V
Identificación del producto :MBRB10100CT-B
TJ :125℃
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MBR3060CT/MBR3060FCT TO-220-3L Plástico-encapsulan el diodo


 

CARACTERÍSTICA
 
Microprocesador de la barrera de Schottky
Pérdida de la energía baja, eficacia alta
Guardia Ring Die Construction para la protección transitoria
Alta capacidad de oleada
Capacidad de gran intensidad y caída de voltaje delantera baja
Para el uso en la baja tensión, inversores de alta frecuencia, el rodar libre,
y usos de la protección de la polaridad
 
MAXIMUMRATINGS (Ta=25℃unlessotherwisenoted)
capacidad de oleada de la pérdida de la energía baja del puente rectificador de 70V Schottky alta
 
ELECTRICALCHARACTERISTICS (Ta=25℃unlessotherwisespecified)
 
capacidad de oleada de la pérdida de la energía baja del puente rectificador de 70V Schottky alta
 
 
Características típicas
 
capacidad de oleada de la pérdida de la energía baja del puente rectificador de 70V Schottky alta
 
 
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