Otomo Semiconductor Technology (Shenzhen) Co., Ltd

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Segundos en doble canal C/10 del Mosfet 250 de la recuperación rápida en los terminales

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Ciudad:shenzhen
País/Región:china
Persona de contacto:MrJimmy Lee
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Segundos en doble canal C/10 del Mosfet 250 de la recuperación rápida en los terminales

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Lugar del origen :Shenzhen China
Cantidad de orden mínima :PCS 1000-2000
Detalles de empaquetado :Encajonado
Plazo de expedición :1 - 2 semanas
Condiciones de pago :L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente :18,000,000PCS/por día
Number modelo :RS3A CON RS3M
Tipo :Diodo de rectificador rápido de la recuperación
CARACTERÍSTICA :250 segundos C/10 en los terminales
Terminales :Conductores axiales plateados, solderable por MIL-STD-750,
Peso :0.003ounce, 0.093grams
Identificación del producto :RS3A CON RS3M
Caso :JEDEC DO-41 moldeó el cuerpo plástico
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RS3A A TRAVÉS DEL RECTIFICADOR SUPERFICIAL DEL SOPORTE FASTRE COVERY DE RS3M


 

CARACTERÍSTICA
El paquete plástico lleva el laboratorio de los suscriptores
Clasificación 94V-0 de la inflamabilidad
Para los usos montados superficiales
Salida reversa baja
Alivio de tensión incorporado, ideal para la colocación automatizada
Alta capacidad delantera de la sobretensión
El soldar de alta temperatura garantizó:
250 segundos C/10 en los terminales
Empalme apaciguado de cristal del microprocesador
 
Segundos en doble canal C/10 del Mosfet 250 de la recuperación rápida en los terminales
 
 
DATOS MECÁNICOS
 
 
Caso: JEDEC DO-214AC moldeó el cuerpo plástico sobre microprocesador apaciguado
Terminales: La soldadura plateó, solderable por MIL-STD-750,
Método 2026
Polaridad: La banda del color denota el extremo del cátodo
Posición de montaje: Ningunos
Peso: 0.003ounce, 0.093grams
 
 
GRADOS MÁXIMOS Y CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

 

Grados en 25 temperaturas ambiente de C salvo especificación de lo contrario. La carga la monofásico 60Hz de media-onda, resistente o inductivo, para la corriente capacitiva de la carga reduce la capacidad normal por el 20%.
Segundos en doble canal C/10 del Mosfet 250 de la recuperación rápida en los terminales
 
 
 
Nota:
1. Condición reversa IF=0.5A, IR=1.0A, Irr=0.25A de la recuperación
2. medido en 1MHz y el voltaje reverso aplicado de C.C. 4.0V
3. Resistencia termal del empalme a ambiente en 0,375" longitud de la ventaja (de 9.5m m), mounte del PWB
 
Segundos en doble canal C/10 del Mosfet 250 de la recuperación rápida en los terminales
 
 
,Segundos en doble canal C/10 del Mosfet 250 de la recuperación rápida en los terminales
 
 
 
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