Otomo Semiconductor Technology (Shenzhen) Co., Ltd

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5 Años
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velocidad de transferencia rápida de transferencia 500mw del diodo Zener dual dual del diodo

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Otomo Semiconductor Technology (Shenzhen) Co., Ltd
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Ciudad:shenzhen
País/Región:china
Persona de contacto:MrJimmy Lee
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velocidad de transferencia rápida de transferencia 500mw del diodo Zener dual dual del diodo

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Lugar del origen :Shenzhen China
Cantidad de orden mínima :PCS 1000-2000
Detalles de empaquetado :Encajonado
Plazo de expedición :1 - 2 semanas
Condiciones de pago :L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente :18,000,000PCS/por día
Number modelo :BAV19W~BAV21W
Identificación del producto :BAV19W~BAV21W
Característica :Velocidad que cambia rápida
Tipo :Rectificador de silicio
Disipación de poder :500mw
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SOD-123 Plástico-encapsulan el DIODO de TRANSFERENCIA de los diodos BAV19W~BAV21W

 

DIODO DE TRANSFERENCIA DE BAV19W~BAV21W

CARACTERÍSTICAS

Corriente reversa baja de Ÿ

Paquete superficial del soporte de Ÿ adecuado idealmente para la inserción automática

Velocidad de transferencia rápida de Ÿ

Ÿ para los usos que cambian de fines generales

MARCA:

 


La barra de marcado indica el cátodo

Punto sólido = dispositivo compuesto que moldea verde,

si ninguno, el dispositivo normal.

 

 

GRADOS MÁXIMOS (Ta=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)

 

Símbolo

 

Parámetro

Valor

 

Unidad

BAV19W BAV20W BAV21W
VRM Voltaje reverso máximo sin repetición 120 200 250 V
VRRM Voltaje reverso repetidor máximo

 

100

 

150

 

200

 

V

VRWM Voltaje reverso máximo de trabajo
VR (RMS) Voltaje reverso del RMS 71 106 141 V
IO Corriente de salida rectificada media 200 mA
IFSM Sobretensión delantera máxima sin repetición @ t=8.3ms 2,0
Paladio Disipación de poder 500 mW
RΘJA Resistencia termal del empalme a ambiente 250 ℃/W
Tj Temperatura de empalme 150
Tstg Temperatura de almacenamiento -55~+150

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (Ta=25℃ salvo especificación de lo contrario)

 

Parámetro Símbolo Condiciones de prueba Minuto Tipo Máximo Unidad

 

 

Corriente reversa

 

 

IR

VR=100V BAV19W     0,1

 

 

UA

VR=150V BAV20W     0,1
VR=200V BAV21W     0,1

 

Voltaje delantero

 

VF

IF=100mA     1

 

V

IF=200mA     1,25
Capacitancia total Ctot VR=0V, f=1MHz     5 PF
Tiempo de recuperación reversa trr IF= IR =30mA, Irr=0.1*IR, RL=100Ω     50 ns

 

 

Símbolo Dimensiones en milímetros Dimensiones en pulgadas
Minuto Máximo Minuto Máximo
1,050 1,250 0,041 0,049
A1 0,000 0,100 0,000 0,004
A2 1,050 1,150 0,041 0,045
b 0,450 0,650 0,018 0,026
c 0,080 0,150 0,003 0,006
D 1,500 1,700 0,059 0,067
E 2,600 2,800 0,102 0,110
E1 3,550 3,850 0,140 0,152
L 0,500 REFERENCIAS 0,020 REFERENCIAS
L1 0,250 0,450 0,010 0,018
θ

 

 

 

 

 

 

Carro de la investigación 0