Productos proveedores Sign in Register

Otomo Semiconductor Technology (Shenzhen) Co., Ltd

ST, TI, Onsemi, NXP,XILINX , ALTERA, Central,ROHM, Microchip,ADI,AOS......Millions type chip at stocks for supporting! Provide products: MCU, IC, LDO, OPAMP, BJT, MOSFET, SBD, FRED, SCR, IGBT, SPD,

Manufacturer from China
Evaluación de proveedor
5 Años
Casa Catalogo de productos Perfil de la compañía Control de calidad Contáctenos Solicitud de una cuota
Español
Casa / Productos / Transistores de poder de la extremidad /

Voltaje 30v del emisor del colector del transistor de poder de los transistores de poder de la extremidad de RoHS NPN

Categorías de Producto

STM32 IC

 [10]

Estabilizador IC del voltaje

 [52]

Unidad del microcontrolador de MCU

 [109]

Transistor de poder del Mosfet

 [25]

Transistores de poder de la extremidad

 [3]

Transistor de poder del silicio

 [3]

Diodo que cambia dual

 [3]

Mosfet en doble canal

 [1]

Diodo de rectificador rápido de la recuperación

 [1]

Mos Field Effect Transistor

 [10]

Diodo Zener del poder

 [1]

Puente rectificador de Schottky

 [1]

Diodo de rectificador de alto voltaje

 [1]
Contacta
Otomo Semiconductor Technology (Shenzhen) Co., Ltd
Visita el sitio web
Ciudad:shenzhen
País/Región:china
Persona de contacto:MrJimmy Lee
Ver detalles de contacto
Contacta
China Voltaje 30v del emisor del colector del transistor de poder de los transistores de poder de la extremidad de RoHS NPN wholesale
  • China Voltaje 30v del emisor del colector del transistor de poder de los transistores de poder de la extremidad de RoHS NPN wholesale

Voltaje 30v del emisor del colector del transistor de poder de los transistores de poder de la extremidad de RoHS NPN
Preguntar último precio
Lugar del origen :Shenzhen China
Cantidad de orden mínima :PCS 1000-2000
Detalles de empaquetado :Encajonado
Plazo de expedición :1 - 2 semanas
Condiciones de pago :L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente :18,000,000PCS/por día
Number modelo :D882
Voltaje de la VoltageCollector-base de la Colector-base :40v
Voltaje del Colector-emisor :30v
Voltaje de la Emisor-base :6V
Transistor del mosfet del poder :TO-126 Plástico-encapsulan
Material :Silicio
Tipo :Transistor del triodo
more
Contacta

Add to Cart
Buscar vídeos similares
Ver descripción del producto

TO-126 Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores D882 (NPN)

 

 

CARACTERÍSTICA
 


Disipación de poder

 

 

 

MARCA

 

Código de D882=Device

Punto sólido = dispositivo compuesto que moldea verde, si ninguno, el dispositivo normal XX=Code

Voltaje 30v del emisor del colector del transistor de poder de los transistores de poder de la extremidad de RoHS NPN

 

 

 

 

INFORMACIÓN EL ORDENAR

Número de parte Paquete Método que embala Cantidad del paquete
D882 TO-126 Bulto 200pcs/Bag
D882-TU TO-126 Tubo 60pcs/Tube

 

 

 

 

GRADOS MÁXIMOS (TA =25 Š a menos que se indicare en forma diferente)
 

 

Símbolo Parámetro Valor Unidad
VCBO Voltaje de la Colector-base 40 V
VCEO Voltaje del Colector-emisor 30 V
VEBO Voltaje de la Emisor-base 6 V
IC Corriente de colector - continua 3
PC Disipación de poder del colector 1,25 W
TJ Temperatura de empalme 150 ℃
Tstg Temperatura de almacenamiento -55-150 ℃

 
 
 

 


CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

 

 

TA =25 Š salvo especificación de lo contrario

Parámetro Símbolo Condiciones de prueba Minuto Tipo Máximo Unidad
voltaje de avería de la Colector-base V (BR) CBO IC = 100μA, IE =0 40     V
voltaje de avería del Colector-emisor CEO DE V (BR) IC = 10mA, IB =0 30     V
voltaje de avería de la Emisor-base V (BR) EBO IE = 100μA, IC =0 6     V
Corriente de atajo de colector ICBO VCB = 40 V, IE =0     1 µA
Corriente de atajo de colector ICEO VCE = 30 V, IB =0     10 µA
Corriente del atajo del emisor IEBO VEB = 6 V, IC =0     1 µA
Aumento actual de DC hFE VCE = 2 V, IC = 1A 60   400  
voltaje de saturación del Colector-emisor VCE (se sentó) IC = 2A, IB = 0,2 A     0,5 V
Voltaje de saturación del emisor de base VBE (se sentó) IC = 2A, IB = 0,2 A     1,5 V

 

Frecuencia de la transición

 

pie

VCE = 5V, IC =0.1A

f =10MHz

  

 

90

  

 

Megaciclo

 
  

CLASIFICACIÓN del hFE (2)

Fila R O Y GR
Gama 60-120 100-200 160-320 200-400

 

 

 


Características típicas

 

 
 Voltaje 30v del emisor del colector del transistor de poder de los transistores de poder de la extremidad de RoHS NPNVoltaje 30v del emisor del colector del transistor de poder de los transistores de poder de la extremidad de RoHS NPNVoltaje 30v del emisor del colector del transistor de poder de los transistores de poder de la extremidad de RoHS NPNVoltaje 30v del emisor del colector del transistor de poder de los transistores de poder de la extremidad de RoHS NPN
 

Dimensiones del esquema del paquete
 

 

Símbolo Dimensiones en milímetros Dimensiones en pulgadas
Minuto Máximo Minuto Máximo
2,500 2,900 0,098 0,114
A1 1,100 1,500 0,043 0,059
b 0,660 0,860 0,026 0,034
b1 1,170 1,370 0,046 0,054
c 0,450 0,600 0,018 0,024
D 7,400 7,800 0,291 0,307
E 10,600 11,000 0,417 0,433
e 2,290 TIPO 0,090 TIPOS
e1 4,480 4,680 0,176 0,184
h 0,000 0,300 0,000 0,012
L 15,300 15,700 0,602 0,618
L1 2,100 2,300 0,083 0,091
P 3,900 4,100 0,154 0,161
Φ 3,000 3,200 0,118 0,126

 
 
Voltaje 30v del emisor del colector del transistor de poder de los transistores de poder de la extremidad de RoHS NPN
 
 

Carro de la investigación 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4