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Otomo Semiconductor Technology (Shenzhen) Co., Ltd

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Los transistores de poder de la extremidad 3DD13005 cambian eficacia alta del voltaje de base del emisor 9V

Categorías de Producto

STM32 IC

 [10]

Estabilizador IC del voltaje

 [52]

Unidad del microcontrolador de MCU

 [109]

Transistor de poder del Mosfet

 [25]

Transistores de poder de la extremidad

 [3]

Transistor de poder del silicio

 [3]

Diodo que cambia dual

 [3]

Mosfet en doble canal

 [1]

Diodo de rectificador rápido de la recuperación

 [1]

Mos Field Effect Transistor

 [10]

Diodo Zener del poder

 [1]

Puente rectificador de Schottky

 [1]

Diodo de rectificador de alto voltaje

 [1]
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Otomo Semiconductor Technology (Shenzhen) Co., Ltd
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China Los transistores de poder de la extremidad 3DD13005 cambian eficacia alta del voltaje de base del emisor 9V wholesale
  • China Los transistores de poder de la extremidad 3DD13005 cambian eficacia alta del voltaje de base del emisor 9V wholesale

Los transistores de poder de la extremidad 3DD13005 cambian eficacia alta del voltaje de base del emisor 9V
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Lugar del origen :Shenzhen China
Cantidad de orden mínima :PCS 1000-2000
Detalles de empaquetado :Encajonado
Plazo de expedición :1 - 2 semanas
Condiciones de pago :L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente :18,000,000PCS/por día
Number modelo :3DD13005
Voltaje de la Colector-base :700v
Temperatura de empalme :℃ 150
Voltaje de la Emisor-base :9V
Nombre de producto :tipo del triodo del semiconductor
Disipación del colector :1.25W
Tipo :Transistor del triodo
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TO-263-3L Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores 3DD13005 (NPN)

 

CARACTERÍSTICA
 

Usos que cambian del poder

 

 

 

GRADOS MÁXIMOS (TA =25 Š a menos que se indicare en forma diferente)

 

Símbolo Parámetro Valor Unidad
VCBO Voltaje de la Colector-base 700 V
VCEO Voltaje del Colector-emisor 400 V
VEBO Voltaje de la Emisor-base 9 V
IC Corriente de colector - continua 1,5
PC Disipación del colector 1,25 W
TJ, Tstg Temperatura del empalme y de almacenamiento -55~+150 ℃

 

 

 

 


CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

 

 

TA =25 Š salvo especificación de lo contrario


 

TA =25 Š salvo especificación de lo contrario

Parámetro Símbolo Condiciones de prueba Minuto Tipo Máximo Unidad
voltaje de avería de la Colector-base V (BR) CBO Ic= 1mA, IE=0 700     V
voltaje de avería del Colector-emisor CEO DE V (BR) Ic= 10 mA, IB=0 400     V
voltaje de avería de la Emisor-base V (BR) EBO IE = 1mA, IC =0 9     V
Corriente de atajo de colector ICBO VCB = 700V, IE =0     1 mA
Corriente de atajo de colector ICEO VCE = 400V, IB =0     0,5 mA
Corriente del atajo del emisor IEBO VEB = 9 V, IC =0     1 mA

 

Aumento actual de DC

 hFE (1) VCE = 5 V, IC = 0,5 A 8   40  
  hFE (2) VCE = 5 V, IC = 1.5A 5      
voltaje de saturación del Colector-emisor VCE (se sentó) IC=1A, IB= 250 mA     0,6 V
Voltaje de saturación del emisor de base VBE (se sentó) IC=1A, IB= 250mA     1,2 V
Voltaje del emisor de base VBE IE= 2A     3 V

 

Frecuencia de la transición

 

pie

VCE =10V, Ic=100mA

f =1MHz

 

5

    

 

Megaciclo
Tiempo de caída tf IC =1A, IB1 =-IB2=0.2A VCC=100V     0,5 µs
Tiempo de almacenamiento ts IC=250mA 2   4 µs

 

 

CLASIFICACIÓN de hFE1

Fila              
Gama 8-10 10-15 15-20 20-25 25-30 30-35 35-40

 

 

CLASIFICACIÓN de tS

 

Fila A1 A2 B1 B2
Gama 2-2.5 (μs) 2.5-3 (μs) 3-3.5 (μs) 3.5-4 (μs)
         

 

 

 

Dimensiones del esquema del paquete TO-92

 

Símbolo Dimensiones en milímetros Dimensiones en pulgadas
  Mínimo. Máximo. Mínimo. Máximo.
4,470 4,670 0,176 0,184
A1 0,000 0,150 0,000 0,006
B 1,120 1,420 0,044 0,056
b 0,710 0,910 0,028 0,036
b1 1,170 1,370 0,046 0,054
c 0,310 0,530 0,012 0,021
c1 1,170 1,370 0,046 0,054
D 10,010 10,310 0,394 0,406
E 8,500 8,900 0,335 0,350
e 2,540 TIPO. 0,100 TIPOS.
e1 4,980 5,180 0,196 0,204
L 14,940 15,500 0,588 0,610
L1 4,950 5,450 0,195 0,215
L2 2,340 2,740 0,092 0,108
Φ 0° 8° 0° 8°
V 5,600 REFERENCIA. 0,220 REFERENCIAS.

 

 

 

 

 

Carro de la investigación 0

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