La gestión ICs del poder de TPS65130RGER se dobla el paquete positivo y negativo 24-VFQFN del convertidor de la salida DC-DC

Características
• Gama de voltaje entrado: 2.7-V a 5.5-V
• Salida positiva del convertidor del alza de VPOS
– Salida ajustable: hasta 15 V
– Dos opciones actuales del límite del interruptor: 0,8 A y 2 A
– Eficacia de conversión: el hasta 89%
• Convertidor de inversión negativo del dólar-alza de VNEG
salida
– Salida ajustable: abajo – a 15 V
– Dos opciones actuales del límite del interruptor: 0,8 A y 2 A
– Eficacia de conversión: el hasta 81%
• Salida del control para el FET externo del P-canal
apoya la desconexión completa de la batería
• corriente del cierre 1-µA
• El individuo permite las entradas para la salida flexible
secuencia
• Características de protección
– Protección de la sobretensión en VPOS y VNEG
– Cierre entrado del undervoltage
– Protección termal del cierre
• 4 paquete del milímetro VQFN-24 del × 4 del milímetro (RGE)

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La gestión ICs del poder de TPS65130RGER se dobla el paquete positivo y negativo 24-VFQFN del convertidor de la salida DC-DC

Situación del producto	Activo
Función	Elevador, elevador/descender
Configuración de salida	Positivo y negativo (carril dual)
Topología	Alza, Dólar-alza
Tipo de la salida	Ajustable
Número de salidas	2
Voltaje - entrado (minuto)	2.7V
Voltaje - entrado (máximo)	5.5V
Voltaje - salida (minuto/fijado)	3.2V, -2V
Voltaje - salida (máxima)	15V, -15V
Actual - salida	700mA (interruptor)
Frecuencia - transferencia	1.38MHz
Rectificador síncrono	No
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 85°C (TA)
Montaje del tipo	Soporte superficial
Paquete/caso	24-VFQFN expuso el cojín
Paquete del dispositivo del proveedor	24-VQFN (4x4)

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Chip CI programable

Chip CI del circuito integrado

Unidad del microcontrolador de MCU

Chips CI de los componentes electrónicos

Microprocesadores de memoria Flash

Electrónica de poder del MOSFET

Módulo de poder de IGBT

Transistor del diodo de IC

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