Anuncio del producto:
Nombre de producto: Transistor de poder de EPM7256AEQC208-10 RF
Características de producto:
- Modo del aumento del canal N
- Puerta de silicio Uno mismo-alineada
- Alto rendimiento
- En-resistencia baja
Especificaciones técnicas:
- Disipación de poder máxima: 2.8W
- Voltaje máximo de la fuente del dren: 20V
- Voltaje de fuente de puerta máximo: 20V
- Corriente máxima del dren: 2A
- Temperatura de empalme máxima: 150°C
- Gama de temperaturas de funcionamiento: -55°C a 150°C
- Paquete/caso: QFN-16
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