Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Bajo consumo de energía del alto rendimiento de IC del microprocesador del semiconductor de IRS2301STRPBF

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Ciudad:shenzhen
País/Región:china
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Bajo consumo de energía del alto rendimiento de IC del microprocesador del semiconductor de IRS2301STRPBF

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Number modelo :IRS2301STRPBF
Lugar del origen :Multi-origen
Cantidad de orden mínima :1
Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :99999
Plazo de expedición :1-7days
Detalles de empaquetado :Estándar
situación del producto :en existencia
configuración del conductor :medio puente
tipo de canal :Separado
número de impulsiones :2
Tipo de la puerta :IGBT, MOSFET del canal N
Voltaje - fuente de alimentación :5V ~ 20V
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Producto: Chip CI del semiconductor de IRS2301STRPBF

 

Descripción:

 

El chip CI del semiconductor de IRS2301STRPBF es un conductor IC de la puerta diseñado para el uso en usos del conductor del alto-lado y de la puerta del bajo-lado. Este dispositivo ofrece una protección incorporada del cierre de la bomba y del undervoltage de carga. El microprocesador también tiene un cierre termal integrado, la protección del cortocircuito de la salida, y una entrada de la lógica con histéresis.

 

Características:


- Conductor IC de la puerta para el alto-lado y los usos del bajo-lado
- Bomba de carga incorporada y protección del cierre del undervoltage
- Protección termal integrada del cortocircuito del cierre y de la salida
- Entrada de la lógica con histéresis

Paquete: SOIC-8

Voltaje de funcionamiento: 6V a 20V

Temperatura de funcionamiento: -40℃ a +125℃

Voltaje de salida: 1.2V a 20V

Corriente de salida: 1.5A

Retraso de propagación: 850ns

Tiempo de la subida/caída: 200ns/400ns

Entrada de la lógica: 2.4V a 5.5V

Características de producto:
• Gama del voltaje de funcionamiento: 10V a 600V
• Corriente de salida: 4A
• Gama de temperaturas de funcionamiento: -40 a 125°C
• Dimensiones: 6 x 6 milímetros
• Bajo consumo de energía
• Alta frecuencia que cambia
• Protección del cortocircuito
• Alta inmunidad de ruido
• Alto funcionamiento de EMI/RFI
• Alta estabilidad termal

 

 

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