Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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MOSFETs e IGBTs de IC For del conductor de la puerta del puente del alto rendimiento del chip CI del semiconductor de IR2110STRPBF medios

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MOSFETs e IGBTs de IC For del conductor de la puerta del puente del alto rendimiento del chip CI del semiconductor de IR2110STRPBF medios

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Number modelo :IR2110STRPBF
Lugar del origen :Mulit-origen
Cantidad de orden mínima :1
Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :999999
El tiempo de entrega :1-7 días
Detalles de empaquetado :Estándar
Categoría :Circuitos integrados (ICs)
Número bajo del producto :IR2110STRPBF
Número de conductores :2
Tipo de la puerta :IGBT, MOSFET del canal N
Alto voltaje lateral - máximo (tirante) :500 V
Tipo entrado :No-inversión
Tiempo de la subida/caída (tipo) :25ns, 17ns
Temperatura de funcionamiento :-40°C ~ 150°C (TJ)
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Nombre de producto: Conductor de alta velocidad IC del MOSFET de IR2110STRPBF

 

Descripción de producto: El IR2110STRPBF es un conductor de alta velocidad IC del MOSFET, diseñado para el uso en convertidores de DC-DC, impulsiones del motor, y otros usos que cambian de gran intensidad. Este dispositivo tiene una gama ancha del voltaje de funcionamiento de 10 V a 500 V, y proporciona un interfaz de baja tensión de la lógica. IC proporciona la transferencia rápida del conductor de la puerta, permitiendo para la transferencia de alta velocidad de MOSFETs de gran intensidad

 

Características de producto:

 

• Gama del voltaje de funcionamiento: 10 V a 500 V

• Interfaz de baja tensión de la lógica

• Transferencia de alta velocidad

• Capacidad de gran intensidad

• EMI baja

• Conductores del MOSFET del Alto-lado y del Bajo-lado

MOSFETs e IGBTs de IC For del conductor de la puerta del puente del alto rendimiento del chip CI del semiconductor de IR2110STRPBF medios

 

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