Anuncio del producto:
SI5855 CDC-T 1- MOSFETdel modo del aumento del canal N de E3
• Voltaje de la Dren-fuente: 40 V
• Voltaje de la Puerta-fuente: ±20 V
• Corriente continua del dren: 8 A
• Rds (encendido): 0,06 Ω
• Gama de temperaturas de funcionamiento: °C -55 a 150
• Montaje del tipo: Soporte superficial
• Paquete/caso: TO-252-3, DPak (2 ventajas + etiquetas), SC-63
• Paquete del dispositivo del proveedor: TO-252-3
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