Parámetros del MOSFET del canal N de IRF7606TRPBF:
• Voltaje de la Dren-fuente: 100V
• Corriente continua del dren: 16A
• Resistencia del En-estado (Rds): 0.02Ω
• Voltaje de la Puerta-fuente: ±20V
• Carga de la puerta (Qg): 22nC
• Disipación de poder (paladio): 48W
• Gama de temperaturas de funcionamiento: -55°C a +175°C
• Montaje del tipo: A través del agujero
• Paquete/caso: TO-220AB
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