Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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MOSFET DE IRFB61N15DPBF: Dispositivo de alto rendimiento de la electrónica de poder para los usos robustos

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Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.
Ciudad:shenzhen
País/Región:china
Persona de contacto:DANDAN
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MOSFET DE IRFB61N15DPBF: Dispositivo de alto rendimiento de la electrónica de poder para los usos robustos

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Number modelo :IRFB61N15DPBF
Lugar del origen :Mult-origen
Cantidad de orden mínima :1
Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :999999
Plazo de expedición :1-7days
Detalles de empaquetado :Estándar
Situación del producto :Activo
Tipo del FET :Canal N
Tecnología :MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) :150 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C :60A (Tc)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs :32mOhm @ 36A, 10V
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Anuncio del producto:

 

MOSFET DE IRFB61N15DPBF

 

Características de producto:


• MOSFET del poder del canal N


• Voltaje máximo de la fuente del dren: 600V


• Voltaje de fuente de puerta máximo: ±20V


• Corriente continua máxima del dren: 61A


• RDS (encendido): 0,144 ohmios


• Montaje del tipo: A través del agujero


• Paquete/caso: TO-220AB


• Gama de temperaturas de funcionamiento: -55°C a 175°C


• Empaquetado: Carrete

 

 

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