Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Dispositivo que cambia de gran intensidad de alto rendimiento de la electrónica de poder del MOSFET de IRFB3307ZPBF

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Ciudad:shenzhen
País/Región:china
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Dispositivo que cambia de gran intensidad de alto rendimiento de la electrónica de poder del MOSFET de IRFB3307ZPBF

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Number modelo :IRFB3307ZPBF
Lugar del origen :Mult-origen
Cantidad de orden mínima :1
Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :999999
Plazo de expedición :1-7days
Detalles de empaquetado :Estándar
Situación del producto :Activo
Tipo del FET :Canal N
Tecnología :MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) :75V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C :120A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) :10V
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Anuncio del producto:

 

IRFB 3307 ZPBF MOSFET del poderdel canal N 30V 57A

 

Características:

 

Carga baja de la puerta

 

En-resistencia baja

 

Capacidad de gran intensidad

 

Velocidad que cambia rápida

 

Sin plomo y RoHS obedientes

 

Especificaciones:

 

Voltaje de la Dren-fuente: 30V

 

Drene actual: 57A

 

Voltaje de la Puerta-fuente: ±20V

 

RDS (encendido) máximo: 0,096

 

Corriente pulsada del dren: 83A

 

Gama de temperaturas de funcionamiento: -55 °C al°C 150

 

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