Nombre de producto: MOSFET del modo del aumento del canal N
Modelo del producto: IPP023N10N5
Parámetro:
Voltaje de la Dren-fuente: 100V
Corriente continua del dren: 23A
Corriente pulsada del dren: 115A
Resistencia máxima del En-estado de la fuente del dren: 0.0081Ω
Voltaje de la Puerta-fuente: ±20V
Disipación de poder: 7.5W
Gama de temperaturas de funcionamiento: -55~150℃
Tipo del paquete: TO-220
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