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Chips CI del amplificador TLV2314QDRQ1
paquete interno de baja potencia 8-SOIC del amplificador operativo del filtro emi 3-MHz RRIO
Situación del producto
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Activo
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Tipo del amplificador
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Número de circuitos
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2
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Tipo de la salida
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Carril-a-carril
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Tarifa de ciénaga
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1.5V/µs
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Producto del ancho de banda del aumento
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3 megaciclos
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Actual - prejuicio entrado
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1 PA
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Voltaje - compensación entrada
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µV 750
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Actual - fuente
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150µA (canales x2)
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Actual - salida/canal
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20 mA
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Voltaje - palmo de la fuente (minuto)
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1,8 V
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Voltaje - palmo de la fuente (máximo)
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5,5 V
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Temperatura de funcionamiento
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-40°C ~ 125°C
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Montaje del tipo
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Paquete/caso
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Paquete del dispositivo del proveedor
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8-SOIC
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Características
• Calificado para los usos automotrices
• AEC-Q100 calificó con los resultados siguientes:
– Grado 1 de la temperatura del dispositivo: – 40°C a
gama de temperaturas ambiente de funcionamiento de +125°C
– Nivel 3A de la clasificación de HBM ESD del dispositivo
– Nivel C6 de la clasificación del dispositivo CDM ESD
• Voltaje compensado bajo: 0,75 milivoltios (de típico)
• Corriente diagonal entrada punto bajo: 1 PA (típico)
• Gama ancha de la fuente: 1,8 V a 5,5 V
• Entrada y salida del Carril-a-carril
• Ancho de banda del aumento: 3 megaciclos
• Índice de inteligencia bajo: 250 µA/Ch (máximo)
• De poco ruido: 16 nV/√Hz en 1 kilociclo
• RF interno y EMI Filter
• Número de canales:
– TLV314-Q1: 1
– TLV2314-Q1: 2
– TLV4314-Q1: 4
• Gama de temperaturas extendida:
– 40°C a +125°C