Paquete entrado circuito 8-SOIC de los chips CI Cmos del amplificador de TLC27L2CDR

¿? Voltaje compensado arreglado:
ΜV TLC27L7… 500 máximo en 25°C,
VDD = 5 V
¿? Deriva compensada entrada del voltaje…. Típicamente
0,1 µV/Month, incluyendo los primeros 30 días
¿? Amplia gama de los voltajes de fuente encima
Gama de temperaturas especificada:
0°C a 70°C. 3 V a 16 V
−40°C a 85°C. 4 V a 16 V
−55°C a 125°C. 4 V a 16 V
¿? Operación de la Solo-fuente
¿? Gama de voltaje entrado del Común-modo
Extiende debajo del carril negativo (C-sufijo,
Tipos del Yo-sufijo)
¿? ΜW ultrabajo típicamente 95 del poder…
en 25°C, VDD = 5 V
¿? La gama del voltaje de salida incluye negativo
Carril
¿? Alto tipo 1012 del Ω de la impedancia de entrada…
¿? Conjunto de circuitos de la ESD-protección
¿? Opción del paquete del Pequeño-esquema también
Disponible en cinta y carrete
¿? Diseñar-en inmunidad del cierre-Para arriba

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Paquete entrado circuito 8-SOIC de los chips CI Cmos del amplificador de TLC27L2CDR

Situación del producto	Activo
Tipo del amplificador	Cmos
Número de circuitos	2
Tipo de la salida	-
Tarifa de ciénaga	0.03V/µs
Producto del ancho de banda del aumento	110 kilociclos
Actual - prejuicio entrado	0,6 PA
Voltaje - compensación entrada	1,1 milivoltio
Actual - fuente	20µA (canales x2)
Actual - salida/canal	30 mA
Voltaje - palmo de la fuente (minuto)	3 V
Voltaje - palmo de la fuente (máximo)	16 V
Temperatura de funcionamiento	0°C ~ 70°C
Montaje del tipo	Soporte superficial
Paquete/caso	8-SOIC (0,154", anchura de 3.90m m)
Paquete del dispositivo del proveedor	8-SOIC

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Chip CI programable

Chip CI del circuito integrado

Unidad del microcontrolador de MCU

Chips CI de los componentes electrónicos

Microprocesadores de memoria Flash

Electrónica de poder del MOSFET

Módulo de poder de IGBT

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