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Paquete 40-QFN de la energía baja del alto rendimiento de los transistores de poder de CYW20719B1KUMLG RF
Situación del producto
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No para los nuevos diseños
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Tipo
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TxRx + MCU
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Familia/estándar del RF
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Bluetooth
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Protocolo
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Bluetooth v5.0
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Modulación
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8DPSK, DQPSK, GFSK
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Frecuencia
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2.4GHz
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Tarifa de datos (máxima)
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3Mbps
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Poder - salida
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4dBm
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Sensibilidad
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-95.5dBm
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Tamaño de la memoria
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1MB flash, 2MB ROM, 512kB RAM
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Interfaces en serie
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² C, SPI, UART DE I
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GPIO
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40
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Voltaje - fuente
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1.9V ~ 3.6V
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Actual - recibiendo
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5.9mA
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Actual - transmitiendo
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5.6mA ~ 20.5mA
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Temperatura de funcionamiento
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-30°C ~ 85°C
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Montaje del tipo
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Soporte superficial
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Paquete/caso
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40-UFQFN expuso el cojín
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Paquete del dispositivo del proveedor
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40-QFN (5x5)
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Transistores de poder de CYW20719B1KUMLG RF
Descripción de producto:
El CYW20719B1KUMLG es un transistor de poder del RF diseñado para los usos inalámbricos de alto rendimiento. Ofrece alto voltaje de avería y resistencia baja del en-estado. Este dispositivo es conveniente para el uso en usos incluyendo el LAN inalámbrico, Bluetooth, y los periférico inalámbricos de la PC.
Características:
• Alto voltaje de avería
• Resistencia baja del en-estado
• Conveniente para los usos inalámbricos de alto rendimiento, tales como LAN inalámbrico, Bluetooth y periférico inalámbricos de la PC
• Compatible con los circuitos estándar del Cmos, de TTL, y de PLL
• RoHS obediente
Especificaciones:
• Voltaje máximo del Colector-emisor (VCE): 100V
• Voltaje máximo de la Colector-base (VCB): 150V
• Voltaje máximo de la Emisor-base (VEB): 7V
• Corriente de colector máxima (IC): 5A
• Disipación de poder máxima (paladio): 25W
• Gama de temperaturas de funcionamiento: -40°C a 85°C
• Gama de temperaturas de almacenamiento: -40°C a 125°C