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Alta ganancia de poco ruido del alto rendimiento del transistor de poder de HMC536LP2E RF
Transistor de poder de HMC536LP2E
Descripción de producto:
El HMC536LP2E es un amplificador de potencia del pHEMT MMIC del GaAs que actúa entre DC y 6 gigahertz. Este amplificador se diseña para los usos tales como radios de punto a punto, radios punto-a-de múltiples puntos y VSATs.
Características:
• Aumento: DB 14,5
• Salida de poder: dBm +28
• P1dB: dBm +26
• Figura de ruido: DB 3,2
• Drene la eficacia: el 20%
• Voltaje de funcionamiento: +5V
• Impedancia de la entrada-salida: 50 ohmios
• Temperatura de funcionamiento: -40°C a +85°C
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