Módulo de poder de IRGP 4660 D-EPBF IGBT - solución robusta y confiable de alto rendimiento del poder
Módulo de poder de IRGP4660D-EPBF IGBT
Características de producto:
- Tecnología del NPT IGBT
- Paquete de baja inductancia
- Voltaje de saturación bajo
- Transferencia de alta velocidad
- Capacidad de ciclo del poder más elevado
- Protección del voltaje reverso
Especificaciones:
- Voltaje máximo del Colector-emisor (VCES): 600V
- Corriente de colector máxima (IC): 100A
- Voltaje máximo del Puerta-emisor (VGE): ± 20V
- Disipación de poder máxima (paladio): 600W
- Gama de temperaturas de funcionamiento de empalme (Tj): -55°C a 175°C
- Gama de temperaturas de almacenamiento (Tstg): -55°C a 175°C
- Corriente máxima de la salida del Puerta-emisor (IGE): 25mA
- Voltaje de saturación máximo del Colector-emisor (VCE (se sentó)): 1,5 V @ IC = 100A
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