Consumo del Ic Chip High Performance Low Power de memoria Flash de AT45DB021E-SSHN-T
Anuncio del producto:
Microprocesadores de memoria Flash de AT45DB021E-SSHN-T
Características:
• Operación de baja tensión (2.7V-3.6V)
• 32Mbit de la memoria de la memoria
• 2.7V al voltaje de fuente 3.6V
• tamaño de página mínimo de 4.096 bytes
• Sola operación de la fuente
• Alta resistencia (hasta 100.000 borrados/escriben ciclos)
• tamaño de bloque mínimo de 8.192 bytes
• Tiempo programado rápido (10 µs típicos)
• Bajo consumo de energía
• Gama de temperaturas extendida (- 40C a +85C)
• interfaz de la entrada-salida 1.8V y 3.3V
• JEDEC Pinout estándar
• Gama de temperaturas industrial (- 40C a +85C)
• Tiempo de acceso de alta velocidad (45ns)
• Interfaz periférico serial (SPI)
• Empaquetado: 8 perno PDIP
| Situación del producto | | |
| Programable | | |
| Tipo de la memoria | | |
| Formato de la memoria | | |
| Tecnología | | |
| Tamaño de la memoria | | |
| Organización de la memoria | | |
| Interfaz de la memoria | | |
| Frecuencia de reloj | | |
| Escriba la duración de ciclo - palabra, página | | |
| Voltaje - fuente | | |
| Temperatura de funcionamiento | | |
| Montaje del tipo | | |
| Paquete/caso | | |
| Paquete del dispositivo del proveedor | | |
| Número bajo del producto | |
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