Almacenamiento permanente de alta densidaddel alto rendimiento de los microprocesadoresde memoria Flashde la TA25QU01GBBB 8AAT 24 deE12- 0- TBGA

• Paquete: 24-TBGA
• Fabricante: Micrón
• Capacidad de memoria: 1GB
• Anchura del ómnibus de datos: de 8 bits
• Gama del voltaje de funcionamiento: 2.7-3.6V
• Gama de temperaturas de funcionamiento: -40C a 85C
• Escriba la resistencia: 100.000 ciclos
• Resistencia leída: 1.000.000 ciclos
• Tiempo de acceso típico: 55ns
• Tiempo típico del programa: 5us
• Tiempo típico del borrado: 100ms

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Almacenamiento no volátil de la densidad de MT25QU01GBBB8E12-0 AAT Flash Memory Chips High

Tipo de la memoria	Permanente
Formato de la memoria	FLASH
Tecnología	FLASH - NI
Tamaño de la memoria	1Gbit
Organización de la memoria	el 128M x 8
Interfaz de la memoria	SPI
Frecuencia de reloj	133 megaciclos
Escriba la duración de ciclo - palabra, página	8ms, 2.8ms
Voltaje - fuente	1.7V ~ 2V
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 105°C (TA)
Montaje del tipo	Soporte superficial
Paquete/caso	24-TBGA
Paquete del dispositivo del proveedor	24-T-PBGA (6x8)

Almacenamiento no volátil de la densidad de MT25QU01GBBB8E12-0 AAT Flash Memory Chips High

Chip CI programable

Chip CI del circuito integrado

Unidad del microcontrolador de MCU

Chips CI de los componentes electrónicos

Microprocesadores de memoria Flash

Electrónica de poder del MOSFET

Módulo de poder de IGBT

Transistor del diodo de IC

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