Bajo consumo de energíadel alto rendimientode W25Q128JVEIQ 8- microprocesadores de memoria Flash de WSON - y alta confiabilidad

- Capacidad: 128Mbit
- Voltaje: 1.8V/3V
- Interfaz: SPI/QPI
- Temperatura de funcionamiento: -40°C a 85°C
- Temperatura de almacenamiento: -65°C a 150°C
- Velocidad leída: 80MHz (máximo)
- Tiempo programado: 0.7s (tipo.)
- Ciclos del programa/del borrado: 10K/100K (mínimo)
- Resistencia: el 1M (mínimo)
- Paquete: 8-WSON

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Bajo consumo de energía de la confiabilidad de los circuitos integrados de W25Q128JVEIQ Digitaces alto

Tipo de la memoria	Permanente
Formato de la memoria	FLASH
Tecnología	FLASH - NI
Tamaño de la memoria	128Mbit
Organización de la memoria	el 16M x 8
Interfaz de la memoria	SPI - Entrada-salida del patio, QPI, DTR
Frecuencia de reloj	133 megaciclos
Escriba la duración de ciclo - palabra, página	3ms
Voltaje - fuente	2.7V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 85°C (TA)
Montaje del tipo	Soporte superficial
Paquete/caso	8-WDFN expuso el cojín
Paquete del dispositivo del proveedor	8-WSON (8x6)

Bajo consumo de energía de la confiabilidad de los circuitos integrados de W25Q128JVEIQ Digitaces alto

Chip CI programable

Chip CI del circuito integrado

Unidad del microcontrolador de MCU

Chips CI de los componentes electrónicos

Microprocesadores de memoria Flash

Electrónica de poder del MOSFET

Módulo de poder de IGBT

Transistor del diodo de IC

Bajo consumo de energía de la confiabilidad de los circuitos integrados de W25Q128JVEIQ Digitaces alto

power ic chip 3s111

power igbt datasheet

power transistor datasheet