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Mb de los microprocesadores de memoria Flash S25FL256SAGMFIR01 128 (MB 16) 256 paquete de destello 16-SOIC del Mb (32 MB) FL-S SPI 3.0V
Formato de la memoria | ||
Tecnología | FLASH - NI | |
Tamaño de la memoria | ||
Organización de la memoria | los 32M x 8 | |
Interfaz de la memoria | SPI - Entrada-salida del patio | |
Frecuencia de reloj | 133 megaciclos | |
Escriba la duración de ciclo - palabra, página | - | |
Voltaje - fuente | 2.7V ~ 3.6V | |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) | |
Montaje del tipo | ||
Paquete/caso | ||
Paquete del dispositivo del proveedor | 16-SOIC |
Características
• Base del Cmos 3,0 V con la entrada-salida versátil
• SPI con multi-I/O
- Modos 0 y 3 de la polaridad y de la fase del reloj de SPI
- Opción de RDA
- Dirección extendida: 24 - u opciones de 32 bits de la dirección
- El comando serial fijó y huella compatible con las familias de S25FL-A, de S25FL-K, y de S25FL-P SPI
- Sistema multi y huella del comando de la entrada-salida compatibles con la familia de S25FL-P SPI
• Comandos LEÍDOS
- Normal, rápido, dual, patio, RDA rápida, RDA dual, patio RDA
- AutoBoot - accionar para arriba o reajustar y ejecutar un normal o un patio lea el comando automáticamente en pre-seleccionado
dirección
- Datos de destello comunes del interfaz (CFI) para la información de configuración
• Programación (1,5 MBps)
- 256 512 del almacenador intermediario de la página del byte opciones programadas - o
- página de la Patio-entrada que programa (QPP) para los sistemas de reloj lentos
- Generación de código ECC-interna automática de la corrección de error de hardware con la corrección de error de un solo bit
• MBps del borrado (0,5 a 0,65)
- Opción híbrida del tamaño de sector - sistema físico de treinta y dos sectores 4-KB en la parte superior o de la parte inferior del espacio de dirección con todos
sectores restantes de 64 KB, para la compatibilidad con los dispositivos anteriores de la generación S25FL.
- Opción uniforme del sector - siempre borrar los bloques 256-KB para la compatibilidad de software con más de alta densidad y futuro
dispositivos.
• Resistencia de ciclo