Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Micrón MT41K256M16TW-107: Microprocesadores de memoria Flash de alto rendimiento del Patio-dado 4Gb de P para el funcionamiento de sistema óptimo

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Ciudad:shenzhen
País/Región:china
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Micrón MT41K256M16TW-107: Microprocesadores de memoria Flash de alto rendimiento del Patio-dado 4Gb de P para el funcionamiento de sistema óptimo

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Number modelo :MT41K256M16TW-107: P
Lugar del origen :original
Cantidad de orden mínima :1
Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :999999
Plazo de expedición :1-3 días
Detalles de empaquetado :Estándar
Organización de la memoria :los 256M x 16
Interfaz de la memoria :Paralelo
Frecuencia de reloj :933 megaciclos
Tiempo de acceso :20 ns
Temperatura de funcionamiento :0°C ~ 95°C (TC)
Voltaje - fuente :1.283V ~ 1.45V
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TA41K256M16TW-107del micrón: Patio-dado de alto rendimiento de P microprocesadoresde memoria Flash de 4GB para el funcionamiento de sistema óptimo

 

MT41K256M16TW-107: Chip de memoria de P 256Mb (los 32M los x 8/16M x 16) DDR3L SDRAM FBGA

Descripción de producto:
El MT41K256M16TW-107: P es un chip de memoria de 256Mb (los 32M los x 8/16M x 16) DDR3L SDRAM FBGA de la tecnología del micrón. Ofrece una solución de alta velocidad, de baja potencia para los usos que requieren memoria de alta densidad, alta del ancho de banda. El MT41K256M16TW-107: P ofrece un ómnibus de datos ancho de 16 bits, un índice de datos de Mbps 1600, y una operación de baja tensión 1.35V. Se optimiza para la operación de la velocidad y de la energía baja, haciéndola ideal para el uso en usos integrados donde está un recurso el poder crítico.

Características:
• ómnibus de datos ancho de 16 bits
• Índice de datos de Mbps 1600
• Operación de baja tensión de 1.35V
• Solución de alta velocidad, de baja potencia
• Optimizado para la velocidad y la energía baja
• Ideal para

 

 

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