Se avanzan los microprocesadores de memoria Flash de MX25L4006EM2I-12G, memoria permanente del alto rendimiento. Diseñado para la velocidad, la operación de la energía baja, estos chips de memoria es ideal para los usos tales como sistemas integrados, teléfonos móviles, cámaras digitales y otros dispositivos portátiles.

 
Parámetros del producto:

- Densidad de memoria: 4Mb

- Organización: 512K x 8

- Fuente del voltaje: 2,7 a 3.6V

- Actual leída: 5mA (máximo)

- Escriba actual: 15mA (máximo)

- Corriente del borrado: 25mA (máximo)

- Resistencia: ciclos 100K

- Retención de los datos: 10 años

- Temperatura de funcionamiento: -40°C a +85°C

- Tipo del paquete: SOIC-8

- Tipo de interfaz: SPI

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Etiquetas de productos:

Microprocesador de memoria Flash MX25L4006EM2I-12G para el almacenamiento del alto rendimiento

Chip CI programable

Chip CI del circuito integrado

Unidad del microcontrolador de MCU

Chips CI de los componentes electrónicos

Microprocesadores de memoria Flash

Electrónica de poder del MOSFET

Módulo de poder de IGBT

Transistor del diodo de IC

Microprocesador de memoria Flash MX25L4006EM2I-12G para el almacenamiento del alto rendimiento

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