Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Chip CI de CY62137FV30LL-55ZSXE para las soluciones del almacenamiento de la memoria de SRAM de la energía baja

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Chip CI de CY62137FV30LL-55ZSXE para las soluciones del almacenamiento de la memoria de SRAM de la energía baja

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Número de modelo :CY62137FV30LL-55ZSXE
Lugar del origen :original
Cantidad de orden mínima :1
Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :999999
Plazo de expedición :1 - 3 días
Detalles de empaquetado :Estándar
Situación del producto :Activo
Tipo de la memoria :Volátil
Formato de la memoria :SRAM
Tecnología :SRAM - Asincrónico
Tamaño de la memoria :2Mbit
Organización de la memoria :128K x 8
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Chip CI de CY 62137 FV 30LL-55ZSXE para las soluciones del almacenamiento de la memoria de SRAM de la energía baja

 

 

 

 

Descripción de producto:
 
 
El CY62137FV30LL-55ZSXE es un microprocesador del circuito integrado diseñado por el semiconductor de Cypress. Es una memoria de acceso aleatorio estática de baja potencia, de alto rendimiento (SRAM) que ofrece un voltaje de funcionamiento 1.8V y un voltaje de la retención de los datos 3V. Está disponible en las densidades 4Mb y 8Mb con un modo espera de baja potencia. Se diseña para proporcionar un índice de datos de alta velocidad de hasta 133 megaciclos y apoya modos estallados asincrónicos y síncronos.
 
Parámetros del producto:
 
• Paquete: TSOP-55
Densidad de memoria: 4Mb/8Mb
Voltaje de funcionamiento: 1,8 V
Voltaje de la retención de los datos: 3V
• Frecuencia de reloj máxima: 133 megaciclos
• Modos estallados asincrónicos/síncronos
• Modo espera de baja potencia

 

 

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Chip CI de CY62137FV30LL-55ZSXE para las soluciones del almacenamiento de la memoria de SRAM de la energía baja

 

 

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