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CY14B108N-BA25XI
Descripción:
Este es un dispositivo de RAM estática (SRAM) de 8 Mbit de alto rendimiento con características avanzadas para aplicaciones de memoria de propósito general.Este dispositivo cuenta con tiempos de acceso rápidos y bajo consumo de energía activa y en espera.Está disponible en los voltajes de suministro estándar de la industria de 5 V y 3,3 V.
Características:
- Tiempo de acceso rápido de 25ns
- Bajo consumo de energía activa y en espera
- Capacidad de 8Mbits
- Voltajes de suministro estándar de la industria de 5 V y 3,3 V
- Paquete estándar de la industria: TSOP-48/44/40/32
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