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Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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NTJS4151PT1G 6-TSSOP MOSFET Electrónica de potencia

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China NTJS4151PT1G 6-TSSOP MOSFET Electrónica de potencia wholesale
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NTJS4151PT1G 6-TSSOP MOSFET Electrónica de potencia
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Number modelo :NTJS4151PT1G
Lugar del origen :Original
Cantidad de orden mínima :1
Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :999999
Plazo de expedición :1-3 días
Detalles de empaquetado :Estándar
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) :20 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C :3.3A (TA)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) :1.8V, 4.5V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs :60mOhm @ 3.3A, 4.5V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ :1.2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs :10 nC @ 4,5 V
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NTJS4151PT1G 6-TSSOP MOSFET Power Electronics Power Single P-Channel Trench SC-88 -20 V -4.2 A

Tipo FET
Canal P
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 voltios
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C
3.3A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)
1,8 V, 4,5 V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs
60mOhm @ 3.3A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1,2 V a 250 µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
10 nC a 4,5 V
Vgs (Máx.)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
850 pF a 10 V
Función FET
-
Disipación de energía (máx.)
1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Paquete de dispositivo del proveedor
SC-88/SC70-6/SOT-363
Paquete / Caja
6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Listado de productos:

ON Semiconductor NTJS4151PT1G - MOSFET de potencia de canal N, paquete 6-TSSOP

• RDS (encendido): 0,25 Ω
• VDSS: 30 V
• DI: 1,2 A (VGS = 10 V)
• 100 % probado por UIL
• Carga de puerta baja
• RoHS
• Libre de halógeno
• Rango de temperatura de funcionamiento: -55 °C a 175 °C
• Paquete: 6-TSSOP


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NTJS4151PT1G 6-TSSOP MOSFET Electrónica de potencia

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