Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Montaje superficial del voltaje 60V 50W del Mosfet del canal P de la baja tensión AOD407

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País/Región:china
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Montaje superficial del voltaje 60V 50W del Mosfet del canal P de la baja tensión AOD407

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Number modelo :AOD407
Lugar del origen :Original
Cantidad de orden mínima :1
Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :999999
Plazo de expedición :1 - 3 días
Detalles de empaquetado :Estándar
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C :12A (Tc)
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds :1185 PF @ 30 V
Paquete/caso :TO-252-3, DPak (2 ventajas + etiquetas), SC-63
Disipación de poder (máxima) :2.5W (TA), 50W (Tc)
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ :3V @ 250µA
Vgs (máximo) :±20V
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Electrónica de potencia MOSFET AOD407

Transistores Paquete de canal P de montaje en superficie de 60 V 50 W TO-252

Tipo FET
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)
4,5 V, 10 V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs
115mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
20 nC a 10 V
Vgs (Máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1185 pF a 30 V
Función FET
-
Disipación de energía (máx.)
2,5 W (Ta), 50 W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Paquete de dispositivo del proveedor
A-252 (DPAK)
Paquete / Caja

Descripción general

El AOD407 utiliza tecnología de trinchera avanzada para proporcionar un excelente RDS (ENCENDIDO), carga de compuerta baja y resistencia de compuerta baja.Con la excelente resistencia térmica del paquete DPAK, este dispositivo es ideal para aplicaciones de carga de alta corriente.-Cumple con RoHS -Libre de halógenos*

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Montaje superficial del voltaje 60V 50W del Mosfet del canal P de la baja tensión AOD407

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